具有改进的栅极电荷的功率半导体晶体管制造技术

提供了一种具有改进的栅极电荷的功率半导体晶体管。该晶体管包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层；以及在所述绝缘层上的栅电极层；其中，所述栅电极层包括穿过所述栅电极层到所述绝缘层的顶表面的一个或更多个开口。

Power semiconductor transistor with improved gate charge

【技术实现步骤摘要】
具有改进的栅极电荷的功率半导体晶体管本申请是申请日为2015年3月18日，申请号为201510118084.3，专利技术名称为“具有改进的栅极电荷的功率半导体晶体管”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本公开内容总体上涉及半导体器件
，并且具体地涉及具有开槽栅极结构(slottedgatestructure)的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)以及其制造方法。
技术介绍
电压稳压器,例如DC至DC转换器,提供用于电子系统的稳定电压源。低功率器件尤其需要有效的DC至DC转换器。其中一种类型的DC至DC转换器是开关式电压稳压器。开关式电压稳压器通过交替地将输入DC电压源和负载耦接和去耦接来生成输出电压。耦接动作和去耦接动作能够通过开关来执行，同时包括电容器和电感器的低通滤波器能够用于对开关的输出进行滤波，以提供DC输出电压。图1示出了能够执行DC至DC降压转换的“降压(buck)”型开关稳压器的示例性实施方式。例如,参考图1，电路100包括：电压源103、开关稳压器102和负载113。开关式稳压器102通过输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管，包括：/n衬底；/n在所述衬底上的绝缘层；以及/n在所述绝缘层上的栅电极层；/n其中，所述栅电极层包括穿过所述栅电极层到所述绝缘层的顶表面的一个或更多个开口。/n

【技术特征摘要】
20140320 US 14/220,4391.一种晶体管，包括：
衬底；
在所述衬底上的绝缘层；以及
在所述绝缘层上的栅电极层；
其中，所述栅电极层包括穿过所述栅电极层到所述绝缘层的顶表面的一个或更多个开口。


2.根据权利要求1所述的晶体管，还包括在所述绝缘层下方的漂移区。


3.根据权利要求2所述的晶体管，还包括在所述绝缘层下方的隔离区。


4.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述隔离区包括浅沟槽隔离STI区。


5.根据权利要求4所述的晶体管，其中，所述STI区是单个连续的STI区。


6.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述隔离区包括通过硅的局部氧化LOCOS而形成的区。


7.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述栅电极层还包括在所述隔离区上方的一个或更多个开口。


8.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述一个或更多个开口中的一个开口的至少一部分直接与所述隔离区的至少一部分重叠。


9.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述栅电极层上的所有区域在没有外部布线的情况下被电耦接。


10.根据权利要求1所述的晶体管，其中，在操作期间所述一个或更多个开口减少所述晶体管的栅极电荷和密勒电容。


11.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述晶体管是横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。


12.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述衬底被掺杂有P型材料和N型材料中的一种。


13.根据权利要求1所述的晶体管，其中，积累区的至少一部分包括P型材料和N型材料中的另外一种。


14.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述栅电极层具有在所述绝缘层上的侧边缘。


15.根据权利要求1所述的晶体管，还包括：
端子区；
在所述绝缘层下方的沟道区；以及
在所述端子区和所述沟道区之间的积累区，
其中，所述一个或更多个开口中的一个开口的至少一部分直接与所述积累...

【专利技术属性】
技术研发人员：法希德·伊拉瓦尼，扬·尼尔森，
申请(专利权)人：美国芯凯公司，富达硅公司，
类型：发明
国别省市：美国;US