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提供了一种具有改进的栅极电荷的功率半导体晶体管。该晶体管包括：衬底；在所述衬底上的绝缘层；以及在所述绝缘层上的栅电极层；其中，所述栅电极层包括穿过所述栅电极层到所述绝缘层的顶表面的一个或更多个开口。...
该专利属于美国芯凯公司;富达硅公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国芯凯公司;富达硅公司授权不得商用。

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