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本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种方法，包括：蚀刻半导体衬底以形成沟槽；以及使用原子层沉积(ALD)循环来沉积电介质层。电介质层延伸到沟槽中。ALD循环包括：脉冲六氯乙硅烷(HCD)到半导体衬底；清除HCD；脉冲三乙胺到半导体衬底；以及...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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