集成电路结构及其制造方法技术

本公开涉及集成电路结构及其制造方法。一种集成电路结构包括：体半导体区域；第一半导体条带，在体半导体区域上方并连接到体半导体区域；以及电介质层，其中包括氧化硅。在氧化硅中掺杂碳原子。电介质层包括：水平部分，在体半导体区域的顶表面上方并与体半导体区域的顶表面接触；以及垂直部分，连接到水平部分的一端。垂直部分与第一半导体条带的下部的侧壁接触。第一半导体条带的顶部突出高于垂直部分的顶表面以形成半导体鳍。水平部分和垂直部分具有相同的厚度。栅极堆叠在半导体鳍的侧壁和顶表面上延伸。

Integrated circuit structure and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
集成电路结构及其制造方法
本公开涉及集成电路结构及其制造方法。
技术介绍
随着集成电路的不断缩小以及对集成电路速度的越来越高的要求，晶体管需要具有更高的驱动电流以及越来越小的尺寸。由此开发出鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET包括在衬底上方的垂直半导体鳍。半导体鳍用于形成源极区域和漏极区域，并在源极区域和漏极区域之间形成沟道区域。形成浅沟槽隔离(STI)区域以限定半导体鳍。FinFET还包括栅极堆叠，其被形成在半导体鳍的侧壁和顶表面上。在STI区域和相应的FinFET的形成中，首先形成STI区域，并然后进行凹陷以形成半导体鳍，基于其形成FinFET。STI区域的形成可包括形成隔离衬垫(liner)，并然后使用可流动化学气相沉积在隔离衬垫上方形成氧化物区域。
技术实现思路
根据本公开的一个实施例，提供了一种集成电路结构，包括：体半导体区域；第一半导体条带，在所述体半导体区域上方并连接到所述体半导体区域；电介质层，包括氧化硅，其中，在所述氧化硅中掺杂碳原子，并且其中，所述电介质层包括：水平部分，在所述体半导体区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路结构，包括：/n体半导体区域；/n第一半导体条带，在所述体半导体区域上方并连接到所述体半导体区域；/n电介质层，包括氧化硅，其中，在所述氧化硅中掺杂碳原子，并且其中，所述电介质层包括：/n水平部分，在所述体半导体区域的顶表面上方并与所述体半导体区域的顶表面接触；以及/n垂直部分，连接到所述水平部分的一端，其中，所述垂直部分与所述第一半导体条带的下部的侧壁接触，其中，所述第一半导体条带的顶部突出高于所述垂直部分的顶表面以形成半导体鳍，并且所述水平部分和所述垂直部分具有相同的厚度；以及/n栅极堆叠，在所述半导体鳍的侧壁和顶表面上延伸。/n

【技术特征摘要】
20181121 US 62/770,429;20190801 US 16/528,8751.一种集成电路结构，包括：
体半导体区域；
第一半导体条带，在所述体半导体区域上方并连接到所述体半导体区域；
电介质层，包括氧化硅，其中，在所述氧化硅中掺杂碳原子，并且其中，所述电介质层包括：
水平部分，在所述体半导体区域的顶表面上方并与所述体半导体区域的顶表面接触；以及
垂直部分，连接到所述水平部分的一端，其中，所述垂直部分与所述第一半导体条带的下部的侧壁接触，其中，所述第一半导体条带的顶部突出高于所述垂直部分的顶表面以形成半导体鳍，并且所述水平部分和所述垂直部分具有相同的厚度；以及
栅极堆叠，在所述半导体鳍的侧壁和顶表面上延伸。


2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述电介质层中的碳原子百分比低于约1％。


3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述电介质层中还包括氯。


4.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括电介质区域，与所述水平部分重叠并接触所述水平部分，其中，所述电介质区域包括氧化硅，并且其中没有碳。


5.根据权利要求4所述的集成电路结构，其中，所述电介质区域的顶部突出高于所述垂直部分的所述顶表面以形成虚设电介质鳍，并且其中，所述栅极堆叠进一步在所述虚设电介质鳍的侧壁和顶表面上延伸。


6.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：
第二半导体条带和第三半导体条带，在所述体半导体区域上方并...

【专利技术属性】
技术研发人员：高琬贻，柯忠祁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71