一种晶圆刻蚀设备制造技术

本实用新型专利技术属于晶圆制造技术领域，尤其为一种晶圆刻蚀设备，包括机体、滑道、泵、导轴和支撑柱，所述机体首端外表面安装有控制屏，且所述控制屏位于机体左上角，指示灯安装在所述机体首端外表面，且所述指示灯位于所述控制屏下方，进料口安装在所述控制屏右侧，出料口设置在所述进料口下方，侧板安装在所述机体右侧外表面，且四块所述侧板与所述机体均匀安装，栅格网设置在所述侧板上。本实用新型专利技术通过设计水洗风干器，把晶圆表面的残留的HBr冲洗干净然后再通过风干器除去水汽，保证晶圆不被污染，同时水洗可以有效的吸收有害气体，使得装置不会产生危害工作人员身心健康的气体。

A wafer etching equipment

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆刻蚀设备
本技术涉及晶圆制造
，具体为一种晶圆刻蚀设备。
技术介绍
半导体刻蚀技术通常分为湿法刻蚀(wetetching)和干法刻蚀(dryetching)两类，它是半导体制造工艺、微电子制造工艺以及微纳米级制造工艺中相当重要的步骤。其中，干法刻蚀由于可以使电路图形变得更加精细，因此得到越来越广泛的使用。现有的晶圆刻蚀设备存在以下不足：1、现有的刻蚀设备，在刻蚀完成后，晶圆表面容易有HBr的残留，而且依据HBr的强酸性的特性，HBr遇冷后，一方面，HBr容易与空气中的水分子结合，形成氢溴酸；2、现有的刻蚀设备在刻蚀进行时会产生一定有害气体，这些有害气体会严重影响工作人员的身心健康。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本技术提供了一种晶圆刻蚀设备，解决了现有的晶圆表面容易有HBr的残留和产生有害气体问题。(二)技术方案为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种晶圆刻蚀设备，包括机体、滑道、泵、导轴和支撑柱，所述机体首端外表面安装有控制屏，且所述控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆刻蚀设备，包括机体(3)、滑道(11)、泵(15)、导轴(19)和支撑柱(23)，其特征在于：所述机体(3)首端外表面安装有控制屏(1)，且所述控制屏(1)位于机体(3)左上角，指示灯(2)安装在所述机体(3)首端外表面，且所述指示灯(2)位于所述控制屏(1)下方，进料口(5)安装在所述控制屏(1)右侧，出料口(7)设置在所述进料口(5)下方，侧板(4)安装在所述机体(3)右侧外表面，且四块所述侧板(4)与所述机体(3)均匀安装，栅格网(6)设置在所述侧板(4)上，且右侧下方两块所述侧板(4)外表面设置有所述栅格网(6)，所述滑道(11)安装在所述机体(3)左右两侧内表面，移动杆(...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆刻蚀设备，包括机体(3)、滑道(11)、泵(15)、导轴(19)和支撑柱(23)，其特征在于：所述机体(3)首端外表面安装有控制屏(1)，且所述控制屏(1)位于机体(3)左上角，指示灯(2)安装在所述机体(3)首端外表面，且所述指示灯(2)位于所述控制屏(1)下方，进料口(5)安装在所述控制屏(1)右侧，出料口(7)设置在所述进料口(5)下方，侧板(4)安装在所述机体(3)右侧外表面，且四块所述侧板(4)与所述机体(3)均匀安装，栅格网(6)设置在所述侧板(4)上，且右侧下方两块所述侧板(4)外表面设置有所述栅格网(6)，所述滑道(11)安装在所述机体(3)左右两侧内表面，移动杆(12)安装在所述滑道(11)内，滑块(9)安装在所述移动杆(12)下表面滑道(11)内，所述泵(15)安装在所述机体(3)底部内表面，进液管(16)安装在所述泵(15)右侧，过滤网(17)安装在所述进液管(16)右端口内，所述支撑柱(23)上表面安装有电机(21)，且所述支撑柱(23)上表面中间设置有圆形凹槽，所述电机(21)传动轴上端安装有齿轮(20)，所述导轴(19)安装在所述支撑柱(23)与圆盘之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：何海洋，胡健峰，彭强，
申请(专利权)人：无锡市查奥微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32