【技术实现步骤摘要】
本技术涉及mos管，尤其涉及一种高沟道迁移率碳化硅mos管。
技术介绍
1、mos管是半导体元件器中的一种，而碳化硅mos管碳化硅（sic）mos管作为一种新型功率器件，相较于传统的硅基功率器件，具有高温特性优异、高频特性优异、开关速度快、导通损失小等优点。
2、而现有的申请号为：202020393464.4的一种mos碳化硅场效应管，包括防护外壳，所述防护外壳的内部设置有板身活动槽，所述防护外壳的内顶壁活动连接有限位弹簧，所述限位弹簧的底部活动连接有效应管板，所述效应管板的底部固定连接有管脚，所述防护外壳的前侧开设有活动滑槽，所述活动滑槽内部滑动连接有推送开关，所述防护外壳的后侧开设有开关凹槽，所述防护外壳的两侧均开设有按压开关孔。
3、上述技术在使用过程中，虽然通过在防护外壳内部设置板身活动槽的方式，可对mos管进行收缩收纳，从而起到一定程度的引脚保护效果，但由于通过四个限位弹簧外加一个顶出弹簧才能实现对mos管引脚进行收纳保护的效果，而在实际使用过程中，众多的弹簧不仅大幅的扩大了mos管的整体尺寸，从而导致...
【技术保护点】
1.一种高沟道迁移率碳化硅MOS管，包括采用沟槽结构的碳化硅材质的场效应管（1），其特征在于，所述场效应管（1）上下两部分别为利用控制输入回路电场效应来控制输出回路电流的MOS管主体（101）以及用于连接的引脚（102），MOS管主体（101）下表面安装有底片（2），底片（2）边缘处滑动插设有若干保护杆（3），保护杆（3）的下端延伸至引脚（102）下端的端部并共同连接有保护片（4），保护片（4）内部对应引脚（102）设有若干穿设口（11），底片（2）内部安装有环形的并具有弹性的防滑环（5），防滑环（5）外环面抵接在若干保护杆（3）的一侧。
2.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种高沟道迁移率碳化硅mos管，包括采用沟槽结构的碳化硅材质的场效应管（1），其特征在于，所述场效应管（1）上下两部分别为利用控制输入回路电场效应来控制输出回路电流的mos管主体（101）以及用于连接的引脚（102），mos管主体（101）下表面安装有底片（2），底片（2）边缘处滑动插设有若干保护杆（3），保护杆（3）的下端延伸至引脚（102）下端的端部并共同连接有保护片（4），保护片（4）内部对应引脚（102）设有若干穿设口（11），底片（2）内部安装有环形的并具有弹性的防滑环（5），防滑环（5）外环面抵接在若干保护杆（3）的一侧。
2.根据权利要求1所述的一种高沟道迁移率碳化硅mos管，其特征在于，所述mos管主体（101）的外环面套设有筒形的散热片（6），散热片（6）的板体上对应保护杆（3）设有相配合的容纳孔（7）。
3.根据权利要求2所述的一种高沟道迁移率碳化硅mos管，其特征在于，所述散...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈蕾，胡健峰，何海洋，梁金，
申请(专利权)人：无锡市查奥微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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