温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本技术涉及MOS管技术领域，具体的公开了一种高沟道迁移率碳化硅MOS管，包括采用沟槽结构的碳化硅材质的场效应管，场效应管上下两部分别为利用控制输入回路电场效应来控制输出回路电流的MOS管主体以及用于连接的引脚，MOS管主体下表面安装有底片，...
该专利属于无锡市查奥微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡市查奥微电子科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。