【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于提供集成电路管芯的堆叠式布置的器件、方法和系统
本文描述的实施例总体上涉及集成电路器件的领域,且更具体地但非排他地,涉及用于将电路与堆叠式管芯器件互连的方法和装置。
技术介绍
在可以将集成电路(IC)管芯更密集地封装在电路板表面上的情况下,可以减小所封装模块的尺寸和成本,并可以提高系统性能。一种提高封装密度的可能方法涉及将管芯彼此上下堆叠地放置以形成被称为堆叠式管芯器件或堆叠式芯片器件的三维堆叠。近年来,堆叠式管芯技术的扩散和多样性不断增加。这种管芯堆叠方案包括:堆叠多个尺寸逐渐减小的管芯以便于引线键合,或使用间隔物堆叠多个相同尺寸的管芯,或者采用斜切(beveling)技术或将“T-切割”管芯用于上部管芯。随着连续几代的半导体制造和封装技术在尺寸和集成度上的不断发展,期望在渐进的改进方面获得越来越高的额外提高,从而可以实现IC管芯堆叠设计的多样性。附图说明在附图的各图中通过示例而非限制的方式示出了本专利技术的各种实施例,其中:图1是示出根据实施例的集成电路器件的元件的截面图。图2是示出根据实施例的提供堆叠式IC管芯的功能的方法的要素的流程图。图3是根据实施例的IC管芯的堆叠式布置的透视图。图4是根据实施例的IC管芯的堆叠式布置的透视图。图5是根据实施例的IC管芯的堆叠式布置的透视图。图6是根据实施例的IC管芯的堆叠式布置的透视图。图7是根据实施例的IC管芯的堆叠式布置的透视图。图8是示出了根据实施例的计算设备的元件的 ...
【技术保护点】
1.一种集成电路(IC)管芯,包括:/n第一触点,其设置在所述IC管芯的第一侧之中或之上,其中,所述IC管芯被配置为经由所述第一触点耦合到第二IC管芯;/n第二触点,其设置在所述IC管芯的第二侧之中或之上,所述第二侧与所述第一侧相对;/n第一集成电路,其包括用于与所述第二IC管芯的第二集成电路通信的第一有源电路元件;/n第一互连,每个第一互连都延伸到所述第一侧和所述第二侧;以及/n第二互连,每个第二互连都耦合在所述第一侧和所述第一集成电路之间,其中,所述第一互连和所述第二互连中的每个互连都经由所述第一触点中相应的一个第一触点耦合到所述第二IC管芯。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成电路(IC)管芯,包括:
第一触点,其设置在所述IC管芯的第一侧之中或之上,其中,所述IC管芯被配置为经由所述第一触点耦合到第二IC管芯;
第二触点,其设置在所述IC管芯的第二侧之中或之上,所述第二侧与所述第一侧相对;
第一集成电路,其包括用于与所述第二IC管芯的第二集成电路通信的第一有源电路元件;
第一互连,每个第一互连都延伸到所述第一侧和所述第二侧;以及
第二互连,每个第二互连都耦合在所述第一侧和所述第一集成电路之间,其中,所述第一互连和所述第二互连中的每个互连都经由所述第一触点中相应的一个第一触点耦合到所述第二IC管芯。
2.根据权利要求1所述的IC管芯,其中,所述第二集成电路包括处理器。
3.根据权利要求1所述的IC管芯,其中,所述第一集成电路包括数据高速缓存。
4.根据权利要求1所述的IC管芯,其中,所述第一集成电路包括输电电路。
5.根据权利要求1所述的IC管芯,其中,所述第一集成电路包括协议栈。
6.根据前述权利要求1-5中任一项所述的IC管芯,其中,所述第二集成电路包括处理器和存储器,并且其中,所述第一集成电路包括存储器控制器,以经由所述第二互连耦合到所述处理器和所述存储器中的每一个,所述存储器控制器向所述处理器提供对所述存储器的访问。
7.根据前述权利要求1-5中任一项所述的IC管芯,其中,所述第二集成电路包括处理器、存储器和输入/输出总线,并且其中,所述第一集成电路包括存储器控制器、输电电路和封装上输入输出(OPIO)接口组件中的每一个,所述第一集成电路经由所述第二互连耦合到所述处理器、所述存储器和所述输入/输出总线中的每一个,所述存储器控制器、所述输电电路和所述OPIO接口向所述处理器提供带宽较高且功耗较低的对所述存储器的访问。
8.一种方法,包括:
将第一集成电路(IC)管芯的第一互连中的每个第一互连,经由设置在所述IC管芯的第一侧之中或之上的第一触点中相应的一个第一触点耦合到第二IC管芯,所述第一互连中的每一个第一互连都延伸至所述第一IC管芯的所述第一侧和第二侧,所述第二侧与所述第一侧相对;以及
将所述第一IC管芯的第二互连中的每个第二互连,经由所述第一触点中相应的一个第一触点耦合到所述第二IC管芯,其中,所述第二互连耦合在所述第一IC管芯的第一集成电路与所述第二IC管芯的第二集成电路之间。
9.根据权利要求8所述的方法,还包括:经由所述第二侧将所述第一IC管芯耦合到封装衬底。
10.根据权利要求8所述的方法,还包括:在所述第一IC管芯和所述第二IC管芯上方沉积模塑料。
11.根据权利要求8所述的方法,其中,所述第二集成电路包括处理器。
12.根据权利要求8所述的方法,其中,所述第一集成电路包括数据高速缓存。
13.根据权利要求8所述的方法,其中,所述第一集成电路包括输电...
【专利技术属性】
技术研发人员:W·戈梅斯,M·博尔,G·J·欣顿,R·库马尔,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。