半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

本申请的实施例提供了一种半导体装置及其形成方法。在一个实施例中，一个根据本公开的半导体装置包含延伸自基板的鳍片、位于鳍片的通道区上的栅极结构、位于鳍片的源极/漏极区上的源极/漏极接触件、与栅极结构相邻的栅极切割部件、与源极/漏极接触件相邻的源极/漏极接触隔离部件、沿着栅极切割部件延伸的侧壁及栅极结构的侧壁延伸的间隔物、沿着源极/漏极接触隔离部件的侧壁及源极/漏极接触件的侧壁延伸的衬层、及被间隔物及衬层夹住的气隙。栅极切割部件及源极/漏极接触隔离部件被间隔物、气隙、及衬层分离。

Semiconductor device and its forming method

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法
本专利技术实施例涉及半导体技术，特别涉及一种包含气隙的半导体结构。
技术介绍
电子产业经历了不断增加的对于更小且更快的电子装置的要求，在此同时也不断地能够支持更大量更复杂的功能。因此，半导体产业中有着不断持续的趋势以生产低价、高效能、且低功率的集成电路(integratedcircuits，ICs)。到目前为止这些目标大部分已经通过微缩化半导体集成电路的尺度(即最小部件尺寸)而被实现，且从而增进生产效率并降低相关成本。然而，此微缩化的过程也带来了更复杂的半导体生产工艺。因此，半导体集成电路及装置的不断的进展的实现将需要半导体生产工艺及科技上也具有相似的进展。最近，已引入多栅极(multi-gate)装置以通过增加栅极－通道耦合(gate-channelcoupling)来增进栅极的控制、减少截止状态电流(OFF-statecurrent)、及减少短通道效应(short-channeleffects，SCEs)。鳍式场效晶体管(finfield-effecttransistor，FinFET)为一种被引入的多栅极装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n一鳍片，延伸自一基板，该鳍片包括一通道区及与该通道区相邻的一源极/漏极区；/n一栅极结构，位于该通道区上；/n一源极/漏极接触件，位于该源极/漏极区上；/n一栅极切割部件，与该栅极结构相邻；/n一源极/漏极接触隔离部件，与该源极/漏极接触件相邻；/n一间隔物，沿着该栅极切割部件的一侧壁及该栅极结构的一侧壁延伸；/n一衬层，沿着该源极/漏极接触隔离部件的一侧壁及该源极/漏极接触件的一侧壁延伸；以及/n一气隙，夹在该间隔物及该衬层之间，其中该栅极切割部件及该源极/漏极接触隔离部件被该间隔物、该气隙、及该衬层分离。/n

【技术特征摘要】
20181120 US 62/769,922;20190508 US 16/406,1541.一种半导体装置，包括：
一鳍片，延伸自一基板，该鳍片包括一通道区及与该通道区相邻的一源极/漏极区；
一栅极结构，位于该通道区上；
一源极/漏极接触件，位于该源极/漏极区上；

【专利技术属性】
技术研发人员：游家权，张家豪，林天禄，林佑明，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71