一种横向场效应晶体管制造技术

本公开的实施例揭露了一种横向场效应晶体管。该横向场效应晶体管包括半导体层、阱区、体区、源区、漏区、栅结构以及沟槽型肖特基势垒结构。该沟槽型肖特基势垒结构由该阱区的上表面开始纵向延伸穿过所述源区、所述体区以及所述阱区的至少一部分使该沟槽型肖特基势垒结构的侧壁与该阱区之间形成纵向肖特基接触。该纵向肖特基接触可以基于制作该横向场效应晶体管的工艺步骤与该横向场效应晶体管同时制作，并且可以大幅缩减集成有肖特基二极管的横向场效应晶体管的横向尺寸，以更好地满足集成电路应用需要其尺寸和体积越来越小的同时具备良好的反向泄漏/反向衬底注入抑制能力的需求。

A transverse field effect transistor

【技术实现步骤摘要】
一种横向场效应晶体管
本专利技术的实施例涉及半导体器件，尤其涉及横向场效应晶体管。
技术介绍
横向晶体管，尤其横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)广泛应用于各种集成电源管理电路中。然而传统的横向场效应晶体管(例如LDMOS)其本身的体二极管存在反向恢复现象会导致LDMOS作为开关器件工作时(尤其工作于较高开关频率时)功耗增大。因而，当前集成电路应用需要横向场效应晶体管的尺寸和体积越来越小的同时具备良好的反向泄漏/反向衬底注入抑制能力和较低的开关损耗。
技术实现思路
本公开的实施例提供一种横向场效应晶体管。该横向场效应晶体管可以包括半导体层，具有第一导电类型；阱区，形成于所述半导体层之中或之上，具有与该第一导电类型相反的第二导电类型；体区，形成于所述阱区中，具有所述的第一导电类型；源区，位于所述体区中，具有所述的第二导电类型；漏区，位于所述阱区中，与所述体区分离，具有所述的第二导电类型；栅结构，形成于所述阱区的靠近所述源区一侧的部分之上；以及沟槽型肖特基势垒结构，由所述阱区的上表面开始纵向延伸穿过所述源区、所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种横向场效应晶体管，包括：/n半导体层，具有第一导电类型；/n阱区，形成于所述半导体层之中或之上，具有与该第一导电类型相反的第二导电类型；/n体区，形成于所述阱区中，具有所述的第一导电类型；/n源区，位于所述体区中，具有所述的第二导电类型；/n漏区，位于所述阱区中，与所述体区分离，具有所述的第二导电类型；/n栅结构，形成于所述阱区的靠近所述源区一侧的部分之上；以及/n沟槽型肖特基势垒结构，由所述阱区的上表面开始纵向延伸穿过所述源区、所述体区以及所述阱区的至少一部分使该沟槽型肖特基势垒结构的侧壁与该阱区之间形成纵向肖特基接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种横向场效应晶体管，包括：
半导体层，具有第一导电类型；
阱区，形成于所述半导体层之中或之上，具有与该第一导电类型相反的第二导电类型；
体区，形成于所述阱区中，具有所述的第一导电类型；
源区，位于所述体区中，具有所述的第二导电类型；
漏区，位于所述阱区中，与所述体区分离，具有所述的第二导电类型；
栅结构，形成于所述阱区的靠近所述源区一侧的部分之上；以及
沟槽型肖特基势垒结构，由所述阱区的上表面开始纵向延伸穿过所述源区、所述体区以及所述阱区的至少一部分使该沟槽型肖特基势垒结构的侧壁与该阱区之间形成纵向肖特基接触。


2.如权利要求1所述的横向场效应晶体管，其中，该沟槽型肖特基势垒结构具有预设的纵向沟槽深度，通过调节其预设的纵向沟槽深度可以调节所述肖特基接触的面积。


3.如权利要求1所述的横向场效应晶体管，进一步包括体接触区，位于所述体区中，并且横向分布在所述源区与所述沟槽型肖特基势垒结构之间，该体接触区具有所述第一导电类型，并且具有体接触区掺杂浓度，该体接触区掺杂浓度高于所述体区的掺杂浓度。


4.如权利要求1所述的横向场效应晶体管，其中所述沟槽型肖特基势垒结构纵向延伸直至与所述半导体层接触或延伸入所述半导体层的一部分之中。


5.如权利要求1所述的所述的横向场效应晶体管，进一步包括：
保护环区，具有所述第一导电类型，形成于所述沟槽型肖特基势垒结构的底部周围，包络该沟槽型肖特基势垒结构的底部区域以使该保护环区与该沟槽型肖特基势垒结构的底部区域之间形成欧姆接触。


6.如权利要求5所述的所述的横向场效应晶体管，其中该保护环区具有保护环区掺杂浓度，该保护环区掺杂浓度大于所述半导体层的掺杂浓度。


7.如权利要求6所述的所述的横向场效应晶体管，其中该保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶宏，傅达平，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51