半导体功率器件及其制造方法技术

本发明专利技术属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括第一导电类型的漏区；位于所述漏区之上的第二导电类型的外延层；位于所述外延层内的交替排列的栅沟槽和第二导电类型的体区；位于所述体区中的第一导电类型的源区；位于所述栅沟槽的上部的第一栅极；至少位于所述栅沟槽的下部的第二栅极；所述第一栅极、所述第二栅极与所述外延层之间由绝缘介质层隔离；位于所述外延层内的第一导电类型的掺杂区，所述掺杂区围绕所述栅沟槽的下部且与所述漏区连接。本发明专利技术在半导体功率器件中引入了电荷平衡结构，能够降低半导体功率器件的特征导通电阻。

Semiconductor power devices and their manufacturing methods

【技术实现步骤摘要】
半导体功率器件及其制造方法
本专利技术属于半导体功率器件
，特别是涉及一种半导体功率器件及其制造方法。
技术介绍
图1是现有技术的一种半导体功率器件的剖面结构示意图，如图1所示，现有技术的一种半导体功率器件包括：n型半导体基底100，位于n型半导体基底100底部的n型漏区10，位于n型半导体基底100中交替排列的栅沟槽和p型体区16，位于p型体区16中的n型源区17，位于所述栅沟槽中的栅介质层12、第一栅极13、绝缘介质层14和第二栅极15，第一栅极13位于栅沟槽的上部并通过栅极电压来控制n型源区17与n型漂移区11之间的电流沟道的开启和关断。第二栅极15位于栅沟槽的下部且向上延伸至栅沟槽的上部，第二栅极15通过源极金属层19与n型源区17连接，第二栅极15通过源极电压在n型漂移区11内形成横向电场，起到提高耐压的作用。层间绝缘层18用于将源极金属层19与栅极金属层隔离，基于剖面的位置关系，栅极金属层在图1中未示出。特征导通电阻(Rsp)是评价半导体功率器件电流导通能力的重要指标，现有技术的半导体功率器件可以通过提高n型漂移区的掺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：/n第一导电类型的漏区；/n位于所述漏区之上的第二导电类型的外延层；/n位于所述外延层内的交替排列的栅沟槽和第二导电类型的体区；/n位于所述体区中的第一导电类型的源区；/n位于所述栅沟槽的上部的第一栅极；/n至少位于所述栅沟槽的下部的第二栅极；/n所述第一栅极、所述第二栅极与所述外延层之间由绝缘介质层隔离；/n位于所述外延层内的第一导电类型的掺杂区，所述掺杂区围绕所述栅沟槽的下部且与所述漏区连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：
第一导电类型的漏区；
位于所述漏区之上的第二导电类型的外延层；
位于所述外延层内的交替排列的栅沟槽和第二导电类型的体区；
位于所述体区中的第一导电类型的源区；
位于所述栅沟槽的上部的第一栅极；
至少位于所述栅沟槽的下部的第二栅极；
所述第一栅极、所述第二栅极与所述外延层之间由绝缘介质层隔离；
位于所述外延层内的第一导电类型的掺杂区，所述掺杂区围绕所述栅沟槽的下部且与所述漏区连接。


2.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述第二栅极从所述栅沟槽的下部向上延伸至所述栅沟槽的上部。


3.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述栅沟槽的上部的宽度大于所述栅沟槽的下部的宽度。


4.如权利要求1所述的半导体功率器...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛振东，刘伟，刘磊，袁愿林，
申请(专利权)人：苏州东微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32