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本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括第一导电类型的漏区；位于所述漏区之上的第二导电类型的外延层；位于所述外延层内的交替排列的栅沟槽和第二导电类型的体区；位于所述体区中的第一导电类型的源区；位于所述栅沟槽的上部...
该专利属于苏州东微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州东微半导体有限公司授权不得商用。

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