一种电流通过性强的二极管芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电流通过性强的二极管芯片，涉及一种半导体，包括一种电流通过性强的二极管芯片，其特征在于，包括硅片衬底，所述硅片衬底的底部设有镀硼层，所述硅片衬底顶部设有镀磷层，硅片表面设有掺淡硼扩散层P和掺浓硼扩散层P+，还设置有电压槽，所述电压槽从掺浓磷扩散层N+的上表面向下延伸；所述掺淡硼扩散层P向长基区N扩散设置有P型凸台，所述P型凸台位于电压槽的下方且电压槽的底部经过P型凸台。本实用新型专利技术通过切割加腐蚀的方式以增大芯片的有效接触面积，芯片的电流通过性更强，使用寿命长。

A diode chip with strong current passing through

【技术实现步骤摘要】
一种电流通过性强的二极管芯片
本技术涉及一种半导体器件，具体是一种电流通过性强的二极管芯片。
技术介绍
二极管是最常用的电子元件之一，二极管最大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的一个方向流过，二极管具有整流电路、检波电路和稳压电路的功能，各种调制电路，主要都是由二极管来构成的，现有的二极管芯片与焊片的有效接触面积小，导致电流通过性弱。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种电流通过性强的二极管芯片，具有电流通过性强和使用寿命长的有益效果，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种电流通过性强的二极管芯片，包括硅片衬底，硅片衬底的底部设有镀硼层，硅片衬底顶部设有镀磷层，硅片表面设有掺淡硼扩散层P和掺浓硼扩散层P+，还设置有电压槽，电压槽从掺浓磷扩散层N+的上表面向下延伸；掺淡硼扩散层P向长基区N扩散设置有P型凸台，P型凸台位于电压槽的下方且电压槽的底部经过P型凸台，P型凸台的下方设置有至少一圈盲孔，盲孔的深度与P型凸台的高度相适配，盲孔的直径为60～100um，同一圈中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电流通过性强的二极管芯片，其特征在于，包括硅片衬底(5)，所述硅片衬底(5)的底部设有镀硼层，所述硅片衬底(5)顶部设有镀磷层，硅片表面设有掺淡硼扩散层P和掺浓硼扩散层P+，还设置有电压槽(4)，所述电压槽(4) 从掺浓磷扩散层N+的上表面向下延伸；所述掺淡硼扩散层P向长基区N扩散设置有P型凸台(2)，所述P型凸台(2)位于电压槽(4)的下方且电压槽(4)的底部经过P型凸台(2) ，所述P型凸台(2)的下方设置有至少一圈盲孔(1)，盲孔(1)的深度与P型凸台(2)的高度相适配，所述盲孔(1)的直径为60～100um，同一圈中相邻两盲孔(1)的距离为40～120um。/n

【技术特征摘要】
1.一种电流通过性强的二极管芯片，其特征在于，包括硅片衬底(5)，所述硅片衬底(5)的底部设有镀硼层，所述硅片衬底(5)顶部设有镀磷层，硅片表面设有掺淡硼扩散层P和掺浓硼扩散层P+，还设置有电压槽(4)，所述电压槽(4)从掺浓磷扩散层N+的上表面向下延伸；所述掺淡硼扩散层P向长基区N扩散...

【专利技术属性】
技术研发人员：燕云峰，
申请(专利权)人：东莞市纽航电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44