一种低阻桥式整流器制造技术

一种低阻桥式整流器，其包括外部设置的壳体，壳体顶端设置的封盖层，壳体一侧对称设置的阳极输出端子和阴极输出端子，壳体另一侧对称设置的阴极输入端子和阳极输入端子以及壳体底端设置的底座，还包括阴极输入金属线、阳极输入金属线、阳极输出金属线、阴极输出金属线、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，所述阳极输出端子位于底座内部嵌入设置有阴极输入金属线，阴极输出端子位于底座内部嵌入设置有阳极输入金属线，本实用新型专利技术使用时，改善第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻本身阻值到10

【技术实现步骤摘要】
一种低阻桥式整流器


[0001]本技术涉及整流器，具体为一种低阻桥式整流器。

技术介绍

[0002]现有的桥式整流器包括四个整流芯片和四个引脚，四个整流芯片的正反面均通过焊片与四个引脚相应的基岛连接，然后通过高温使得焊片熔化，从而使得整流芯片与引脚的基岛焊接在一起。
[0003]现有的桥式整流器正常阻值在30～40欧姆，桥式整流器的正向压降VF较大，从而使功耗较大，抗正向电流(IFSM)能力差，可靠性较低，不利于使用。

技术实现思路

[0004]针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本技术提供一种低阻桥式整流器，有效的解决了现有的桥式整流器正常阻值在30～40欧姆，桥式整流器的正向压降VF较大，从而使功耗较大，抗正向电流(IFSM)能力差，可靠性较低，不利于使用的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：本技术包括外部设置的壳体，壳体顶端设置的封盖层，壳体一侧对称设置的阳极输出端子和阴极输出端子，壳体另一侧对称设置的阴极输入端子和阳极输入端子以及壳体底端设置的底座，还包括阴极输入金属线、阳极输入金属线、阳极输出金属线、阴极输出金属线、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，所述阳极输出端子位于底座内部嵌入设置有阴极输入金属线，阴极输出端子位于底座内部嵌入设置有阳极输入金属线，阴极输入端子位于底座内部嵌入设置有阳极输出金属线，阳极输入端子位于底座内部嵌入设置有阴极输出金属线，阴极输出金属线与阳极输入金属线、阴极输入金属线分别串联有第一电阻和第二电阻，阳极输出金属线与阳极输入金属线、阴极输入金属线分别设置有第三电阻和第四电阻。
[0006]优选的，所述底座采用硅基片。
[0007]优选的，所述壳体的高度在1.35um
‑
1.75um之间。
[0008]优选的，所述壳体的长度在9.4um
‑
9.8um之间，壳体的宽度在8.4um
‑
8.8um之间。
[0009]优选的，所述阳极输出端子和阴极输出端子以及阴极输入端子和阳极输入端子的厚度为0.25um
‑
0.55um。
[0010]优选的，所述壳体顶端侧面的坡度为10
°
。
[0011]有益效果：本技术使用时，改善第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻本身阻值到10
‑
15欧姆进行扩散后进行封装，在使相同VR时，降低VF，降低桥式整流器功耗，增加桥式整流器的正向电流(IFSM)能力，提高可靠性。
附图说明
[0012]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：
[0013]图1是本技术整体结构示意图；
[0014]图2是本技术内部结构示意图；
[0015]图中标号：1、壳体；2、封盖层；3、阳极输出端子；4、阴极输出端子；5、阴极输入端子；6、阳极输入端子；7、底座；8、阴极输入金属线；9、阳极输入金属线；10、阳极输出金属线；11、阴极输出金属线；12、第一电阻；13、第二电阻；14、第三电阻；15、第四电阻。
具体实施方式
[0016]下面结合附图1
‑
2对本技术的具体实施方式做进一步详细说明。
[0017]实施例一，由图1
‑
2给出，本技术提供一种低阻桥式整流器，包括外部设置的壳体1，壳体1顶端设置的封盖层2，壳体1一侧对称设置的阳极输出端子3和阴极输出端子4，壳体1另一侧对称设置的阴极输入端子5和阳极输入端子6以及壳体1底端设置的底座7，还包括阴极输入金属线8、阳极输入金属线9、阳极输出金属线10、阴极输出金属线11、第一电阻12、第二电阻13、第三电阻14和第四电阻15，所述阳极输出端子3位于底座7内部嵌入设置有阳极输出金属线10，阴极输出端子4位于底座7内部嵌入设置有阴极输出金属线11，阴极输入端子5位于底座7内部嵌入设置有阴极输入金属线8，阳极输入端子6位于底座7内部嵌入设置有阳极输入金属线9，阳极输入金属线9与阴极输出金属线11串联有第一电阻12，阴极输入金属线8与阴极输出金属线11串联有第二电阻13，阴极输入金属线9和阳极输出金属线10之间设置有第三电阻14，阴极输入金属线8和阴极输出金属线11之间设置有第四电阻15，第一电阻12、第二电阻13、第三电阻14和第四电阻15的阻值选择为10
‑
15欧姆进行扩散后进行封装。
[0018]所述底座7采用硅基片，便于底座7的使用。
[0019]所述壳体1的高度在1.35um
‑
1.75um之间，便于壳体1的使用。
[0020]所述壳体1的长度在9.4um
‑
9.8um之间，壳体1的宽度在8.4um
‑
8.8um之间，便于壳体1的使用。
[0021]所述阳极输出端子3和阴极输出端子4以及阴极输入端子5和阳极输入端子6的厚度为0.25um
‑
0.55um，便于配合使用。
[0022]所述壳体1顶端侧面的坡度为10
°
，便于使用。
[0023]有益效果：本技术使用时，改善第一电阻12、第二电阻13、第三电阻14和第四电阻15本身阻值到10
‑
15欧姆进行扩散后进行封装，在使相同VR时，降低VF，降低桥式整流器功耗，增加桥式整流器的正向电流(IFSM)能力，提高可靠性。
[0024]最后应说明的是：以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低阻桥式整流器，包括外部设置的壳体（1），壳体（1）顶端设置的封盖层（2），壳体（1）一侧对称设置的阳极输出端子（3）和阴极输出端子（4），壳体（1）另一侧对称设置的阴极输入端子（5）和阳极输入端子（6）以及壳体（1）底端设置的底座（7），其特征在于：还包括阴极输入金属线（8）、阳极输入金属线（9）、阳极输出金属线（10）、阴极输出金属线（11）、第一电阻（12）、第二电阻（13）、第三电阻（14）和第四电阻（15），所述阳极输出端子（3）位于底座（7）内部嵌入设置有阴极输入金属线（8），阴极输出端子（4）位于底座（7）内部嵌入设置有阳极输入金属线（9），阴极输入端子（5）位于底座（7）内部嵌入设置有阳极输出金属线（10），阳极输入端子（6）位于底座（7）内部嵌入设置有阴极输出金属线（11），阳极输入金属线（9）与阴极输出金属线（11）串联有第一电阻（12），阴极输入金属线（8）和阴极输出金属线（11）串联有第二电阻（13），阳极输入金属线（9）和阳极输出金...

【专利技术属性】
技术研发人员：李小芹，燕云峰，江小芬，王小磊，肖贵明，李小红，
申请(专利权)人：东莞市纽航电子有限公司，
类型：新型
国别省市：