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本实用新型公开了一种电流通过性强的二极管芯片，涉及一种半导体，包括一种电流通过性强的二极管芯片，其特征在于，包括硅片衬底，所述硅片衬底的底部设有镀硼层，所述硅片衬底顶部设有镀磷层，硅片表面设有掺淡硼扩散层P和掺浓硼扩散层P+，还设置有电压槽...
该专利属于东莞市纽航电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市纽航电子有限公司授权不得商用。

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