半导体功率器件制造技术

本发明专利技术属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括：封装在同一个封装体内的第一MOSFET功率器件芯片和第二MOSFET功率器件芯片，其中：所述第一MOSFET功率器件芯片的漏极金属层与所述第二MOSFET功率器件芯片的源极金属层电性连接；所述第一MOSFET功率器件芯片的源极金属层与所述第二MOSFET功率器件芯片的栅极金属层均接所述封装体的源极引脚；所述第一MOSFET功率器件芯片的栅极金属层接所述封装体的栅极引脚；所述第二MOSFET功率器件芯片的漏极金属层接所述封装体的漏极引脚。本发明专利技术能够降低半导体功率器件的特征导通电阻。

Semiconductor power device

【技术实现步骤摘要】
半导体功率器件
本专利技术属于半导体功率器件
，特别是涉及一种低特征导通电阻的半导体功率器件。
技术介绍
特征导通电阻(Rsp)是评价半导体功率器件电流导通能力的重要指标之一，通常特征导通电阻与栅极电荷(Qg)的乘积作为半导体功率器件的品质因子(FOM)，品质因子是评判半导体功率器件产品综合性能最直接最重要的技术指标，FOM越小，表示半导体功率器件在工作时的功率损耗越低。对于中低压半导体功率器件来说，由于沟道电阻占总的导通电阻的比重很高，因此传统降低半导体功率器件的特征导通电阻的方法有提高n型漂移区的掺杂浓度和增加半导体功率器件的元胞密度两种方式，但是n型漂移区的掺杂浓度的提高会影响半导体功率器件的耐压，而元胞密度的增加会大大增加半导体功率器件的栅源充电电荷(Qgs)和栅漏充电电荷(Qgd)。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种半导体功率器件，以解决现有技术中的如何降低半导体功率器件的特征导通电阻的问题。为达到本专利技术的上述目的，本专利技术提供了一种半导体功率器件，包括：<br>封装在同一个封本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：/n封装在同一个封装体内的第一MOSFET功率器件芯片和第二MOSFET功率器件芯片，所述第二MOSFET功率器件芯片为n沟道耗尽型，其中：/n所述第一MOSFET功率器件芯片的漏极金属层与所述第二MOSFET功率器件芯片的源极金属层电性连接；/n所述第一MOSFET功率器件芯片的源极金属层与所述第二MOSFET功率器件芯片的栅极金属层均接所述封装体的源极引脚；/n所述第一MOSFET功率器件芯片的栅极金属层接所述封装体的栅极引脚；/n所述第二MOSFET功率器件芯片的漏极金属层接所述封装体的漏极引脚。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：
封装在同一个封装体内的第一MOSFET功率器件芯片和第二MOSFET功率器件芯片，所述第二MOSFET功率器件芯片为n沟道耗尽型，其中：
所述第一MOSFET功率器件芯片的漏极金属层与所述第二MOSFET功率器件芯片的源极金属层电性连接；
所述第一MOSFET功率器件芯片的源极金属层与所述第二MOSFET功率器件芯片的栅极金属层均接所述封装体的源极引脚；
所述第一MOSFET功率器件芯片的栅极金属层接所述封装体的栅极引脚；
所述第二MOSFET功率器件芯片的漏极金属层接所述封装体的漏极引脚。...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁愿林，刘伟，刘磊，毛振东，
申请(专利权)人：苏州东微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32