氮化镓开关器件及开关管及电子设备制造技术

本申请公开了一种氮化镓开关器件及开关管及电子设备。所述开关器件包括氮化镓晶体管和开关管；所述开关管与所述氮化镓晶体管连接以控制所述氮化镓晶体管；所述氮化镓开关器件还包括门极、漏极、开关器件电流采样端和接地部；所述开关器件电流采样端用于采集所述开关器件的电流；所述接地部用于将所述氮化镓晶体管和所述开关管共同连接至地。所述开关管包括门极、漏极、开关器件电流采样端和接地部；所述开关器件电流采样端用于采集所述开关管的电流；所述接地部用于将所述开关管连接至地。所述电子设备包括所述开关器件。本申请可提高电子设备的开关速度，提高可靠性以及减少外接电流采样电阻带来的功耗，可进一步提高效率。

Gallium nitride switching devices, switches and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
氮化镓开关器件及开关管及电子设备
本申请涉及开关器件
，特别涉及一种氮化镓开关器件及开关管及电子设备。
技术介绍
在电力电子电器设备中，高效的电力转换是实现环保节能的重要手段。高效电力转换是通过高效的开关器件来实现的。自从硅晶体管出现以来，人们一直在不断地寻找更加高效的开关器件；尤其是如今进入5G时代，具有高效率、高功率密度是现代开关电源的发展趋势。提高开关频率可以有效减小无源器件的尺寸。传统的硅(Si)材料的功率器件性能已逐渐到了瓶颈，从以硅为材料的晶体管BJT(BipolarJunctionTransistor，双极结型晶体管)、场效应管MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)、栅极控制的晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)以及二极管等，再到如今日益发展的第三代宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)为基础的开关器件，第三代氮化镓器件宽禁带半导体器件中的氮化镓功率器件相对于硅材料的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化镓开关器件，其特征在于：/n包括氮化镓晶体管和开关管；/n所述开关管与所述氮化镓晶体管连接以控制所述氮化镓晶体管；/n所述氮化镓开关器件还包括门极、漏极、开关器件电流采样端和接地部；/n所述开关器件电流采样端用于采集所述氮化镓开关器件的电流；/n所述接地部用于将所述氮化镓晶体管和所述开关管共同连接至地。/n

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓开关器件，其特征在于：
包括氮化镓晶体管和开关管；
所述开关管与所述氮化镓晶体管连接以控制所述氮化镓晶体管；
所述氮化镓开关器件还包括门极、漏极、开关器件电流采样端和接地部；
所述开关器件电流采样端用于采集所述氮化镓开关器件的电流；
所述接地部用于将所述氮化镓晶体管和所述开关管共同连接至地。


2.根据权利要求1所述的氮化镓开关器件，其特征在于：
所述接地部为接地基板；
所述氮化镓晶体管和所述开关管均置于所述接地基板上且均与所述接地基板连接。


3.根据权利要求2所述的氮化镓开关器件，其特征在于所述氮化镓晶体管和所述开关管均置于所述接地基板上且均与所述接地基板连接具体为：所述氮化镓晶体管的门极位于衬底的底部，所述氮化镓晶体管的衬底与所述接地基板连接，所述开关管的衬底与所述接地基板连接。


4.根据权利要求1所述的氮化镓开关器件，其特征在于：所述氮化镓开关器件还包括门极引脚、漏极引脚、开关器件电流采样引脚和接地引脚；
所述门极引脚与所述氮化镓开关器件的门极连接；
所述漏极引脚与所述漏极连接；
所述开关器件电流采样引脚与所述开关器件电流采样端连接；
所述接地引脚与所述接地部连接。


5.根据权利要求4所述的氮化镓开关器件，其特征在于：
所述开关管的源极与所述开关管的漏极之间可形成第一导通通道；
所述氮化镓晶体管的源极与所述氮化镓晶体管的漏极之间可形成第二导通通道；
所述开关管的漏极与所述化镓晶体管的源极连接，以所述第一导通通道可与所述第二导...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑俊杰，张程龙，李律，
申请(专利权)人：华源智信半导体深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44