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本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括：封装在同一个封装体内的第一MOSFET功率器件芯片和第二MOSFET功率器件芯片，其中：所述第一MOSFET功率器件芯片的漏极金属层与所述第二MOSFET功率器件芯片的源...
该专利属于苏州东微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州东微半导体有限公司授权不得商用。

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