横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法技术

本申请涉及一种LDMOS，包括：半导体衬底，具有第一导电类型；漂移区，具有第二导电类型，形成于半导体衬底的表层；栅极结构，设置于半导体衬底的表面上且覆盖漂移区的部分表面；源区和漏区，具有第二导电类型，分别形成于栅极结构的两侧，漏区形成于远离所述栅极结构的一侧的漂移区，源区形成于衬底中且与栅极结构相接；金属硅化物阻挡层，形成于栅极结构和漏区之间的漂移区上；氧化层，形成于金属硅化物阻挡层上；金属场板，形成于氧化层上，金属场板包括自栅极结构向漏区方向间隔设置的多个金属段。上述LDMOS，形成有分段金属场板，调节各金属场板的电位，可以增强器件击穿电压。本申请还涉及上述LDMOS的制备方法。

Transverse double diffusion MOSFET and its preparation

【技术实现步骤摘要】
横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制备方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件及半导体器件制备方法。
技术介绍
在横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(LateralDouble-diffusedMOSFET，简称LDMOS，)中，为兼顾LDMOS具有较好的耐压特性和较低的导通电阻，通常在漂移区表层形成场板代替漂移区中的浅槽隔离结构对漂移区下方电场进行调控。同时，在高工作电压下，为了使漂移区表面电场分布更加均匀，一般形成阶梯场板或延展型场板。但是，为形成阶梯场板或者延展型场板，在工艺上需要进行多次光刻，由此会使得工艺更加复杂且增加工艺成本，且受限于器件表面到器件电极引出层的介质层厚度要求，故该结构常用于分立器件中。而对于BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺平台，很少采用这种结构来提高耐压和改善表面电场。
技术实现思路
基于此，有必要针对LDMOS场板工艺复杂的问题，提出了一种新的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管制备方法。一种横向双扩散金属氧化物半导体场本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，包括：/n半导体衬底，具有第一导电类型；/n漂移区，具有第二导电类型，形成于所述半导体衬底的表层；/n栅极结构，设置于所述半导体衬底上且覆盖所述漂移区的部分表面；/n源区和漏区，具有第二导电类型，分别形成于所述栅极结构的两侧，所述漏区形成于所述漂移区内且远离所述栅极结构，所述源区形成于所述衬底中且与所述栅极结构相接；/n金属硅化物阻挡层，形成于所述栅极结构和所述漏区之间的漂移区上；/n氧化层，形成于所述金属硅化物阻挡层上；/n金属场板，形成于所述氧化层上，所述金属场板包括自所述栅极结构向所述漏区方向间隔设置的多个金属段。/n

【技术特征摘要】
1.一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，包括：
半导体衬底，具有第一导电类型；
漂移区，具有第二导电类型，形成于所述半导体衬底的表层；
栅极结构，设置于所述半导体衬底上且覆盖所述漂移区的部分表面；
源区和漏区，具有第二导电类型，分别形成于所述栅极结构的两侧，所述漏区形成于所述漂移区内且远离所述栅极结构，所述源区形成于所述衬底中且与所述栅极结构相接；
金属硅化物阻挡层，形成于所述栅极结构和所述漏区之间的漂移区上；
氧化层，形成于所述金属硅化物阻挡层上；
金属场板，形成于所述氧化层上，所述金属场板包括自所述栅极结构向所述漏区方向间隔设置的多个金属段。


2.如权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述形成于所述栅极结构和所述漏区之间的漂移区上的金属硅化物阻挡层还延伸至所述栅极结构上；
所述自所述栅极结构向所述漏区方向间隔设置的多个金属段包括跨设在所述栅极结构与所述漂移区上的金属段以及位于所述栅极结构和所述漏区之间的漂移区上的多个金属段。


3.如权利要求1或2所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述金属场板的覆盖面积小于或等于所述金属硅化物阻挡层的覆盖面积。


4.如权利要求2所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述跨设在所述栅极结构与所述漂移区上的金属段的长度大于所述位于所述栅极结构和所述漏区之间的漂移区上的金属段的长度。


5.如权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述半导体衬底内还形成有第一导电类型体区，所述源区形成于所述第二导电类型体区内。

【专利技术属性】
技术研发人员：高桦，孙贵鹏，罗泽煌，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32