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本申请涉及一种LDMOS，包括：半导体衬底，具有第一导电类型；漂移区，具有第二导电类型，形成于半导体衬底的表层；栅极结构，设置于半导体衬底的表面上且覆盖漂移区的部分表面；源区和漏区，具有第二导电类型，分别形成于栅极结构的两侧，漏区形成于远离...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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