引线框架、半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供能够在抑制外形尺寸的增大的同时提高绝缘耐压的引线框架、半导体装置以及半导体装置的制造方法。引线框架具备芯片焊盘部、第一引线部、第二引线部以及从芯片焊盘部的角部附近向芯片焊盘部的外侧延伸的延伸部。第一引线部具有第一端子部和第一引线柱部，该第一引线柱部位于比第一端子部接近芯片焊盘部的一侧，与第一端子部电连接。第二引线部具有第二端子部、位于第一端子部与第二端子部之间的第三端子部以及第二引线柱部，该第二引线柱部位于比第二端子部和第三端子部接近芯片焊盘部的一侧，与第二端子部及第三端子部电连接。第一引线柱部、第二引线柱部以及延伸部在芯片焊盘部的面方向中的与第一方向交叉的第二方向上并排。

Lead frame, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
引线框架、半导体装置以及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及一种引线框架、半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
近年来，以宽带隙半导体为代表，能够制造出高耐压且高性能的半导体芯片，高耐压的分立半导体产品正在增加。与此相伴，封装的绝缘耐压受到重视(例如，参照专利文献1、2)。另外，为了提高电力变换电路的效率和使产品小型化，要求半导体产品具有低导通电阻和小型封装。图17和图18是示出以往例所涉及的半导体装置的制造方法的平面图。图19是示出以往例所涉及的半导体装置的结构例的平面图。图20是示出以往例所涉及的半导体装置的结构例的背面图。如图17所示，以往例所涉及的引线框架301包括多个要素310A、310B、310C。多个要素310A、310B、310C是分别成为1个半导体装置300的部位。多个要素310A、310B、310C在X轴方向上并排且相邻。下面，在不需要区分多个要素310A、310B、310C来进行说明时，将它们称为要素310。虽然没有进行图示，但是在Y轴方向上也是多个要素并排且相邻。各要素310具有安装有半导体芯片302的芯片焊盘部319以及3个端子部311、312、313。端子部311、312、313分别在Y轴方向上延伸。另外，端子部311、312、313被配置为按此顺序在X轴方向上并排。端子部312与芯片焊盘部319连接。各要素310具有第一引线柱部314和第二引线柱部315。第一引线柱部314位于芯片焊盘部319与端子部311之间，与端子部311连接。第二引线柱部315位于芯片焊盘部319与端子部313之间，与端子部313连接。芯片焊盘部319、第一引线柱部314以及第二引线柱部315相互分离。在引线框架301中，端子部312与芯片焊盘部319连接。芯片焊盘部319与端子部312相互支撑。另外，支撑部316在X轴方向上与端子部311、312、313及引线框架的框体330连接。由此，端子部311、312、313成为相互支撑并且被框体330所支撑的构造。以往例所涉及的半导体装置300是使用例如芯片接合(diebonding)装置、线接合(wirebonding)装置、模制装置等各种装置来制造的。下面，将这些装置称为制造装置。如图17所示，通过芯片接合工序，制造装置在引线框架301的芯片焊盘部319上搭载半导体芯片302。由此，位于半导体芯片302的反面侧的漏极电极经由芯片焊盘部319来与端子部312电连接。端子部312成为半导体装置300的漏极端子部D。下面，将端子部312也称为漏极端子部。接着，通过线接合工序，制造装置将第一线331的一端接合于位于半导体芯片302的正面侧的栅极电极，将第一线331的另一端接合于第一引线柱部314，来将栅极电极与第一引线柱部314电连接。由此，与第一引线柱部314连接的端子部311成为半导体装置300的栅极端子部G。下面，将端子部311也称为栅极端子部。另外，制造装置将第二线332的一端接合于位于半导体芯片302的正面侧的源极电极，将第二线332的另一端接合于第二引线柱部315，来将源极电极与第二引线柱部315电连接。由此，与第二引线柱部315连接的端子部313成为半导体装置300的源极端子部S。下面，将端子部313也称为源极端子部。接着，如图18所示，通过模制工序，制造装置使用传递模塑技术来进行密封树脂304的成型。接着，通过引线切割工序，制造装置从引线框架301切割出各要素310。在引线切割工序中，支撑部316被切断。接着，通过赋形(forming)工序，制造装置使栅极端子部311和源极端子部313成形并将它们加工为与最终产品相同的形状。由此，半导体装置300完成。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-134492号公报专利文献2：日本特开2011-129875号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在MOSFET等半导体芯片中，栅极与源极之间的绝缘耐压被设计为30V左右的情况居多。在漏极耐压被设计为30V以上的情况下，施加于半导体装置300的电压中最高的电压为漏极电压。另外，密封树脂304的绝缘耐压相对于空气的绝缘耐压而言非常高。因此，封装的绝缘耐压由从密封树脂304露出的栅极端子部311与漏极端子部312之间的距离L11或者从密封树脂304露出的漏极端子部312与源极端子部313之间的距离L12决定。在半导体装置300中，为了提高封装的绝缘耐压，扩大距离L11、L12是有效的。然而，半导体装置300的漏极端子部312位于栅极端子部311与源极端子部313之间。因此，当以扩大栅极端子部311与漏极端子部312之间的距离L11、漏极端子部312与源极端子部313之间的距离L12的方式对半导体装置300进行设计变更时，半导体装置300的外形尺寸会增大。当半导体装置的外形尺寸增大时，存在以下可能性：外形尺寸偏离于规定的标准，半导体装置丧失通用性。另外，当半导体装置的外形尺寸增大时，还存在以下可能性：需要对安装半导体装置的一侧的电路基板的设计进行变更。并且，当半导体装置的外形尺寸增大时，还存在以下可能性：需要变更制造工序，半导体装置的生产率下降或者制造成本增加。本专利技术是着眼于上述问题而完成的，其目的在于提供在抑制外形尺寸的增大的同时能够提高绝缘耐压的引线框架、半导体装置以及半导体装置的制造方法。用于解决问题的方案本专利技术的一个方式所涉及的引线框架具备：芯片焊盘部，其具有正面；第一引线部，其与芯片焊盘部相离地配置，在与芯片焊盘部的正面平行的第一方向上延伸；第二引线部，其与芯片焊盘部及第一引线部相离地配置，在第一方向上延伸；以及延伸部，其在与芯片焊盘部的正面平行的方向上从芯片焊盘部的角部附近向芯片焊盘部的外侧延伸。第一引线部具有第一端子部和第一引线柱部，该第一引线柱部位于比第一端子部接近芯片焊盘部的一侧，与第一端子部电连接。第二引线部具有第二端子部、位于第一端子部与第二端子部之间的第三端子部以及第二引线柱部，该第二引线柱部位于比第二端子部及第三端子部接近芯片焊盘部的一侧，与第二端子部及第三端子部电连接。第一引线柱部、第二引线柱部以及延伸部在与芯片焊盘部的正面平行的第二方向上并排。第二方向与第一方向交叉。本专利技术的一个方式所涉及的半导体装置具备：引线框架；以及半导体芯片，其具有第一面以及位于第一面的相反侧的第二面，在第一面侧具有第一电极和第二电极，在第二面侧具有第三电极。引线框架具备：芯片焊盘部，其具有正面，半导体芯片安装于所述正面侧，所述芯片焊盘部与第三电极电连接；第一引线部，其与芯片焊盘部相离地配置，在与芯片焊盘部的正面平行的第一方向上延伸；第二引线部，其与芯片焊盘部及第一引线部相离地配置，在第一方向上延伸；以及第一延伸部，其在与芯片焊盘部的正面平行的方向上从芯片焊盘部的角部附近向芯片焊盘部的外侧延伸。第一引线部具有第一端子部和第一引线柱部，该第一引线柱部位于比第一端子部接近芯片焊盘部的一侧，与第一端本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种引线框架，具备：/n芯片焊盘部，其具有正面；/n第一引线部，其与所述芯片焊盘部相离地配置，在与所述芯片焊盘部的正面平行的第一方向上延伸；/n第二引线部，其与所述芯片焊盘部及所述第一引线部相离地配置，在所述第一方向上延伸；以及/n延伸部，其在与所述芯片焊盘部的正面平行的方向上从所述芯片焊盘部的角部附近向所述芯片焊盘部的外侧延伸，/n其中，所述第一引线部具有：/n第一端子部；以及/n第一引线柱部，其位于比所述第一端子部接近所述芯片焊盘部的一侧，与所述第一端子部电连接，/n所述第二引线部具有：/n第二端子部；/n第三端子部，其位于所述第一端子部与所述第二端子部之间；以及/n第二引线柱部，其位于比所述第二端子部及所述第三端子部接近所述芯片焊盘部的一侧，与所述第二端子部及所述第三端子部电连接，/n所述第一引线柱部、所述第二引线柱部以及所述延伸部在与所述芯片焊盘部的正面平行的第二方向上并排，/n所述第二方向与所述第一方向交叉。/n

【技术特征摘要】
20181116 JP 2018-2154331.一种引线框架，具备：
芯片焊盘部，其具有正面；
第一引线部，其与所述芯片焊盘部相离地配置，在与所述芯片焊盘部的正面平行的第一方向上延伸；
第二引线部，其与所述芯片焊盘部及所述第一引线部相离地配置，在所述第一方向上延伸；以及
延伸部，其在与所述芯片焊盘部的正面平行的方向上从所述芯片焊盘部的角部附近向所述芯片焊盘部的外侧延伸，
其中，所述第一引线部具有：
第一端子部；以及
第一引线柱部，其位于比所述第一端子部接近所述芯片焊盘部的一侧，与所述第一端子部电连接，
所述第二引线部具有：
第二端子部；
第三端子部，其位于所述第一端子部与所述第二端子部之间；以及
第二引线柱部，其位于比所述第二端子部及所述第三端子部接近所述芯片焊盘部的一侧，与所述第二端子部及所述第三端子部电连接，
所述第一引线柱部、所述第二引线柱部以及所述延伸部在与所述芯片焊盘部的正面平行的第二方向上并排，
所述第二方向与所述第一方向交叉。


2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，
所述引线框架包括在第二方向上并排且相邻的第一要素和第二要素，
所述第一要素和第二要素各自具备所述芯片焊盘部、所述第一引线部、所述第二引线部以及所述延伸部，
所述第一要素的所述延伸部与所述第二要素的所述第二引线柱部连接。


3.一种半导体装置，具备：
引线框架；以及
半导体芯片，其具有第一面以及位于所述第一面的相反侧的第二面，在所述第一面侧具有第一电极和第二电极，在所述第二面侧具有第三电极，
其中，所述引线框架具备：
芯片焊盘部，其具有正面，所述半导体芯片安装于所述正面侧，所述芯片焊盘部与所述第三电极电连接；
第一引线部，其与所述芯片焊盘部相离地配置，在与所述芯片焊盘部的正面平行的第一方向上延伸；
第二引线部，其与所述芯片焊盘部及所述第一引线部相离地配置，在所述第一方向上延伸；以及
第一延伸部，其在与所述芯片焊盘部的正面平行的方向上从所述芯片焊盘部的角部附近向所述芯片焊盘部的外侧延伸，
所述第一引线部具有：
第一端子部；以及
第一引线柱部，其位于比所述第一端子部接近所述芯片焊盘部的一侧，与所述第一端子部电连接，
所述第二引线部具有：
第二端子部；
第三端子部，其位于所述第一端子部与所述第二端子部之间；以及
第二引线柱部，其位于比所述第二端子部及所述第三端子部接近所述芯片焊盘部的一侧，与所述第二端子部及所述第三端子部电连接，
所述第一引线柱部、所述第二引线柱部以及所述第一延伸部在与所述芯片焊盘部的正面平行的第二方向上并排，
所述第二方向与所述第一方向交叉。


4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
第一线，其将所述第一电极与所述第一引线柱部电连接；
第二线，其将所述第二电极与所述第二引线柱部电连接；以及
密封树脂，其覆盖并密封所述半导体芯片、所述第一引线柱部、所述第二引线柱部、所述第一线以及所述第二线，
其中，所述芯片焊盘部的位于正面的相反侧的反面从所述密封树脂露出。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
在将所述第一端子部与所述第三端子部之间的距离设为L1、将所述第二端子部与所述第三端子部之间的距离设为L2、将从所述芯片焊盘部的反面的从所述密封树脂露出的部分到所述第一端子部、所述第二端子部或者所述第三端子部的最短距离设为L3时，L3>L1且L3>L2成立。


6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一延伸部被所述密封树脂覆盖并密封。


7.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一延伸部从所述密封树脂露出，
在将所述第一端子部与所述第三端子部之间的距离设为L1、将所述第二端子部与所述第三端子...

【专利技术属性】
技术研发人员：田平景辅，中村贤平，松瀬充明，降旗博明，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP