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提供能够在抑制外形尺寸的增大的同时提高绝缘耐压的引线框架、半导体装置以及半导体装置的制造方法。引线框架具备芯片焊盘部、第一引线部、第二引线部以及从芯片焊盘部的角部附近向芯片焊盘部的外侧延伸的延伸部。第一引线部具有第一端子部和第一引线柱部，该...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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