【技术实现步骤摘要】
封装结构、半导体器件、电子设备
本专利技术的实施例涉及半导体器件的封装，尤其涉及一种半导体器件用封装结构，一种具有该封装结构的半导体器件，以及一种具有该半导体器件的设备。
技术介绍
20世纪80年代以来,各类电子设备的便携性、多功能、高性能、低成本的发展趋势对半导体器件提出了更高的要求，促使其朝着小型化、高集成、高可靠性、高良率的方向发展。其中，声波谐振器是一类重要的半导体器件，是构成滤波器、振荡器、传感器的核心器件，在通信滤波、时钟发生、导航定位和生化传感等领域中发挥重要作用。随着微纳制造技术的发展，先后产生了表面声波谐振器和体声波谐振器。其中，体声波谐振器凭借其高Q值、低温度漂移、能够与IC制造工艺兼容的优势，在最近十几年中迅速脱颖而出，被广泛应用于无线通讯中。在体声波谐振器中，其工作频率与薄膜厚度成反比，通过良好的薄膜制备工艺，谐振器压电层的厚度可以缩减到几百纳米至几微米之间，因此，谐振频率能够提高到几GHz以上，实现了声波器件的高频化和小型化，弥补了传统石英晶体谐振器的不足。但是，同时使得谐振器裸芯片对外界环境极其敏...
【技术保护点】
1.一种半导体器件用封装结构，所述半导体器件包括对置的第一基底与第二基底，所述封装结构包括：/n垫圈结构，所述垫圈结构自第二基底朝向第一基底凸出；和/n粘附层，设置在垫圈结构与第一基底相对的端面和/或设置在第一基底上与垫圈结构相对的表面，/n其中：/n所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为：所述截面的宽度在垫圈结构的凸出方向上变小。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件用封装结构，所述半导体器件包括对置的第一基底与第二基底，所述封装结构包括：
垫圈结构，所述垫圈结构自第二基底朝向第一基底凸出；和
粘附层，设置在垫圈结构与第一基底相对的端面和/或设置在第一基底上与垫圈结构相对的表面，
其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为：所述截面的宽度在垫圈结构的凸出方向上变小。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为梯形。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为大小两个矩形组合的形状。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为大小三个矩形组合的形状。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为梯形与矩形组合的形状。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为大小梯形组合的形状。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，所述第二基底的一侧垫圈结构的宽度范围为15-140μm；所述第一基底的一侧垫圈结构的宽度范围为10-100μm。
8.根据权利要求7所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，所述第二基底的一侧垫圈结构的宽度范围为25-70μm。
9.根据权利要求7所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，所述第一基底的一侧垫圈结构的宽度范围为20-40μm。
10.根据权利要求7所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为大小两个矩形组合的形状；且
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，所述第二基底的一侧垫圈结构的厚度范围为1-20μm；所述第一基底的一侧垫圈结构的厚度范围为1-20μm。
11.根据权利要求10所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，所述第二基底和/或所述第一基底一侧的垫圈结构的厚度范围为2-8μm。
12.根据权利要求7所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为三层几何体组合的形状；且
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨清瑞，庞慰，孙晨，张孟伦，
申请(专利权)人：天津大学，诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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