一种增加能量闭锁效益的石英压电晶片及晶圆制造技术

本发明专利技术提供一种增加能量闭锁效益的石英压电晶片及晶圆，该晶圆包括阵列排布的石英压电晶片，所述石英压电晶片具有一基底，所述基底一端的上表面与下表面对称设置有凹槽，所述凹槽中部设置有凸台，所述凸台的高度小于凹槽的深度。该石英压电晶片具有凹槽式双凸台晶体结构，凸台与基底边缘之间的凹槽区域形成晶片第一能陷区；凸台为晶片的主振荡区，且凸台的高度小于凹槽的深度，形成晶片的第二能陷区；所以，该石英压电晶片的凹槽式双凸台结构在晶片上形成了双重能陷效果，大幅度增加了晶片的能量闭锁效益，从而降低了整个晶片的阻抗，最终使得整个晶振具有非常好的低频物理特性。

A kind of quartz piezoelectric wafer and wafer to increase the efficiency of energy blocking

【技术实现步骤摘要】
一种增加能量闭锁效益的石英压电晶片及晶圆
本专利技术涉及压电晶片
，尤其涉及一种增加能量闭锁效益的石英压电晶片及晶圆。
技术介绍
石英光刻化晶体泛指以光刻技术在石英晶圆表面进行结构加工之晶圆，包含凸起型(Mesa)、凹陷型(InvertedMesa)之立体结构。传统工艺以机械研磨制程开发小型化石英晶体，除物理性质上有其尺寸极限外，小型化带来的阻抗增加或良率降低等因素，都将会是瓶颈。技术上，低频的小型石英晶体也需要倒边(Bevel)，亦即削薄石英晶体边缘，才能达到有效的能陷(EnergyTrapping)，增加能量闭锁效益。因此，在制造超小型石英晶体及低频石英晶体时，对于单纯仰赖传统研磨法制造石英晶体的厂商来说，将会是发展小型石英晶体产品时，最主要的技术鸿沟。目前市面上所见晶片设计形貌，皆是以对单一晶片边框周围进行蚀刻镂空后，并且镀上上表面与下表面的电极，再以拨断晶片方式，将晶片一颗颗取下，此方法主要是因为石英晶圆的厚度较薄，在小型化趋势发展下而开发的制程，其优点为晶片边框的精度与镀上电极的精度，都是光刻等级的精密程度，得以确保批量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增加能量闭锁效益的石英压电晶片，其特征在于：所述石英压电晶片具有一基底，所述基底一端的上表面与下表面对称设置有凹槽，所述凹槽中部设置有凸台，所述凸台的高度小于凹槽的深度。/n

【技术特征摘要】
1.一种增加能量闭锁效益的石英压电晶片，其特征在于：所述石英压电晶片具有一基底，所述基底一端的上表面与下表面对称设置有凹槽，所述凹槽中部设置有凸台，所述凸台的高度小于凹槽的深度。


2.根据权利要求1所述的一种增加能量闭锁效益的石英压电晶片，其特征在于，所述凸台的高度为h，所述凹槽的深度为d，且满足以下条件式：
h/d＝0.1～0.9。


3.根据权利要求2所述的一种增加能量闭锁效益的石英压电晶片，其特征在于：h/d＝0.8。


4.根据权利要求3所述的一种增加能量闭锁效益的石英压电晶片，其特征在于：所述凹槽的深度为1～30微米。


5.根据权利要求1所述的一种增加能量闭锁效益的石英压电晶片，其特征在于：还包括第一电极膜和第二电极膜，所述第一电极膜设置在所述凸台的表面，所述第二电极膜设置在远离凹槽的另一端，且该第二电极膜包括第一引脚和第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗杰，
申请(专利权)人：广东惠伦晶体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44