【技术实现步骤摘要】
一种改善动态热漂移的晶振
本专利技术涉及晶振
，尤其涉及一种改善动态热漂移的晶振。
技术介绍
在温补晶振实际射频系统的应用中，随著通讯速度的加快(2G到3G到4G到5G)，芯片的发热量会持续增加；并且，由于省电模式的关系，射频芯片常处于开开关关的频繁切换状态中，容易导致温补晶振产生动态的温度变化(频繁短时间内升温，短时间内降温)。而整个温补晶振的频率稳定度与其内部温度变化息息相关。现有技术中，技术人员一般通过以下三种方式改善晶振的内部温度变化从而改善其动态热漂移的缺陷：第一，减小晶振的整体体积；第二，将基座设置为“H”形状，使得压电元件与集成芯片可以同时快速感应温度的变化；第三，通过寻找合适的压电元件即石英晶片的切割角度(对于高频一般是AT切割角)，如图1所示，不同的切割角度会有不同的频率温度特性曲线。其中，第一种改善方式是惯用的技术手段，也较容易实现。第二种方式也是较为成熟的技术手段。而选择合适的石英晶片的切割角度虽然看是显而易见的技术手段，但却是非常复杂的一个选择过程，对于不同的温度范围应该选择什么...
【技术保护点】
1.一种改善动态热漂移的晶振，该晶振包括压电元件，所述压电元件的材质为石英晶片，其特征在于：所述石英晶片的AT切割角为θ，所述θ与C
【技术特征摘要】
1.一种改善动态热漂移的晶振，该晶振包括压电元件，所述压电元件的材质为石英晶片，其特征在于：所述石英晶片的AT切割角为θ，所述θ与C1系数相对应，且C1系数满足以下频率温度特性函数条件：
f(t)＝C3(t-t0)3+C2(t-t0)2+C1(t-t0)+C0
其中，f(t)为频率相对偏差，t0为温度固定值，C0为常数、是温度等于t0时的频率相对偏差值，C1为频率温度曲线在25℃和35℃之间的平均斜率、其值为-0.17～0.09，C2和C3通过C1确定。
2.根据权利要求1所述的一种改善动态热漂移的晶振，其特征在于：C1＝-0.101～0.09。
3.根据权利要求2所述的一种改善动态热漂移的晶振，其特征在于：C1＝0.03。
4.根据权利要求1至3任一项所述的一种改善动态热漂移的晶振，其特征在于：t0＝25度，C0＝0。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜健伟，彭英铭，曾秋淳，
申请(专利权)人：广东惠伦晶体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。