一种长H型结构的高频抛光石英晶片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种长H型结构的高频抛光石英晶片，包括形状为矩形体的腹板晶片和翼缘板晶片；所述翼缘板晶片数量为2、腹板晶片数量为1，翼缘板晶片对称设置在腹板晶片的两个相对长侧边上，构成H型钢形状的石英晶片；所述腹板晶片的长宽高分别为：X1、Y1、Z1；翼缘板晶片的长宽高分别为X2、Y2、Z2；其中：X2＝X1；0.016Y1≤Y2≤0.032Y1；1.41Z1≤Z2≤1.76Z1。本方案通过光刻腐蚀的方式加工出一体式新型结构压电石英晶体频率片，相通过上述的外形及其尺寸，经过仿真结果可知，添加宽度方向的边框附载有助于更好的抑制该方向弯曲振动和面切变振动，从而保证其谐振的幅度够大，阻抗的幅值降低。

A long H-shaped high frequency polished quartz wafer

【技术实现步骤摘要】
一种长H型结构的高频抛光石英晶片
本技术属于通讯领域，涉及一种长H型结构的高频抛光石英晶片。
技术介绍
随着5G通信的发展，通信的波长越来越短，其通信频率相应的变的越来越高；AT切石英晶体谐振器或振荡器的核心部件是压电石英晶体频率片，其厚度与谐振频率满足：t＝1664/f(其中t代表晶片的厚度；f代表晶片的频率)，通过该式可以清楚地发现随着晶片的谐振频率的增加，晶片的厚度相应变的越来越薄。此外为了高频的石英晶片为了降低其阻抗往往通过改变晶片的表面粗糙度降低其谐振阻尼来实现的。其工艺方式采用抛光工艺来加工。由于晶片变的越来越薄，其表面粗糙度低，导致晶片在清洗过程中晶片出现叠片现象。一旦两片晶片叠在一起后由于表面非常光滑出现真空区域，导致重叠区域无法清洗干净导致晶体谐振器DLD2(电平依赖特性)参数过大；如果强行分开将导致晶片破损。为此有必要通过改变晶片的外形，既能满足晶片振动的阻抗大小，又能保证晶片在清洗过程中重贴后留有一定的空隙无法粘黏在一起。
技术实现思路
本技术的目的在于：提供了一种长H型结构的高频抛光石英晶片，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种长H型结构的高频抛光石英晶片，其特征在于：包括形状为矩形体的腹板晶片(1)和翼缘板晶片(2)；所述翼缘板晶片(2)数量为2、腹板晶片(1)数量为1，翼缘板晶片(2)对称设置在腹板晶片(1)的两个相对长侧边上，构成H型钢形状的石英晶片；/n所述腹板晶片(1)的长宽高分别为：X1、Y1、Z1；翼缘板晶片(2)的长宽高分别为X2、Y2、Z2；/n其中：X2＝X1；/n0.016Y1≤Y2≤0.032Y1；/n1.41Z1≤Z2≤1.76Z1。/n

【技术特征摘要】
1.一种长H型结构的高频抛光石英晶片，其特征在于：包括形状为矩形体的腹板晶片(1)和翼缘板晶片(2)；所述翼缘板晶片(2)数量为2、腹板晶片(1)数量为1，翼缘板晶片(2)对称设置在腹板晶片(1)的两个相对长侧边上，构成H型钢形状的石英晶片；
所述腹板晶片(1)的长宽高分别为：X1、Y1、Z1；翼缘板晶片(2)的长宽高分别为X2、Y2、Z2；
其中：X2＝X1；
0.016Y1≤Y2≤0.032Y1；
1.41Z1≤Z2≤1.76Z1。


2.根据权利要求1所述的一种长H型结构的高频抛光石英晶片，其特征在于：所述腹板晶片(1)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李辉，叶竹之，
申请(专利权)人：成都泰美克晶体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51