半导体设备内部环境的调整方法、装置和电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种半导体设备内部环境的调整方法、装置和电子设备，根据所接收到的用户发出的模型调整指令，调整预设的半导体设备的结构模型，并对调整后的该结构模型进行内部环境分析，当判断所得到的分析结果符合预设结果时，根据调整后的该结构模型，对半导体设备的设备结构进行调整，以控制该半导体设备的内部环境。该方法首先通过调整分析半导体设备的结构模型，使其满足预期效果，然后按照调整后的结构模型调整实际半导体设备的结构，即可满足半导体加工器件对半导体设备内部环境的要求，从而提高半导体器件生产良率。

Methods, devices and electronic equipment for adjusting the internal environment of semiconductor equipment

【技术实现步骤摘要】
半导体设备内部环境的调整方法、装置和电子设备
本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种半导体设备内部环境的调整方法、装置和电子设备。
技术介绍
集成电路(IC)制造是电子信息产业的核心，是推动国民经济和社会信息化发展的最主要的高新技术之一。半导体设备内部微环境，对半导体器件生产良率有重要影响。在半导体器件加工过程中，大部分半导体设备要求设备内部环境保持对外部环境相对正压，在形成正压的同时，半导体设备内部通常会存在紊流，如果紊流处于对半导体器件加工工艺影响较大的位置，会对半导体器件生产良率产生不利影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体设备内部环境的调整方法，以提高半导体器件生产良率。本专利技术提供的一种半导体设备内部环境的调整方法，所述方法包括：接收用户发出的模型调整指令；根据所述模型调整指令，调整预设的半导体设备的结构模型；对调整后的所述结构模型进行内部环境分析，得到分析结果；判断所述分析结果是否符合预设结果；如果符合，根据调整后的所述结构模型，对所述半导体设备的设备结构进行调整，以控制所述半导体设备的内部环境。进一步的，所述半导体设备包括多个分区；根据所述模型调整指令，调整预设的半导体设备的结构模型的步骤，包括：根据所述模型调整指令，调整预设的半导体设备的结构模型中的进风口位置，排风口位置，以及所述多个分区之间的通路，其中，所述通路包括：通路大小、通路位置和通路结构。进一步的，所述方法还包括：如果不符合，继续执行接收用户发出的模型调整指令的步骤，直至所述分析结果符合所述预设结果。进一步的，如果所述半导体设备的至少一个分区中，同时包含待排出的液体和待排出的气体，则所述半导体设备的至少一个分区中还包括排液口、排风口和分离模块；所述分离模块用于分离所述待排出的液体和所述待排出的气体的流向，以使所述待排出的液体通过所述排液口排出，所述待排出的气体通过所述排风口排出。进一步的，所述半导体设备具有周期性开闭窗口，所述方法还包括：在每个开闭周期过程中，针对所述半导体设备的每个分区，采集所述分区的气压数据；将所述分区的气压数据与所述分区的预设气压数据进行比较，输出差异值；根据所述差异值，调整所述分区的进风量；其中，所述差异值的数量为一个或多个。进一步的，根据所述差异值，调整所述分区的进风量的步骤，包括：判断所述差异值是否超出预设范围；如果所述差异值未超出所述预设范围，选取其中最大的差异值；判断所述最大的差异值是否具有周期性；如果所述最大的差异值具有周期性，计算所述最大的差异值的周期与所述分区的开闭窗口的周期的对应关系；根据所述对应关系，调整所述分区的进风量。进一步的，所述根据所述对应关系，调整所述分区的进风量的步骤之后，所述方法还包括：如果所述差异值超出所述预设范围，则发出报警指示或停止运行所述半导体设备，以对所述半导体设备进行维护。进一步的，所述方法还包括：如果所述最大的差异值不具有周期性，则根据所述最大的差异值，调整所述分区的进风量。进一步的，根据所述对应关系，调整所述分区的进风量的步骤，包括：基于所述对应关系，建立回归模型；基于历史最优解集合，对所述回归模型进行回归分析，输出调整所述进风量的最优解；将所述最优解更新至所述历史最优解集合中；根据所述最优解，调整所述分区的进风量。本专利技术提供的一种半导体设备内部环境的调整装置，所述装置包括：接收模块，用于接收用户发出的模型调整指令；第一调整模块，用于根据所述模型调整指令，调整预设的半导体设备的结构模型；分析模块，用于对调整后的所述结构模型进行内部环境分析，得到分析结果；判断模块，用于判断所述分析结果是否符合预设结果；第二调整模块，用于如果所述分析结果符合所述预设结果，根据调整后的所述结构模型，对所述半导体设备的设备结构进行调整，以控制所述半导体设备的内部环境。本专利技术提供的一种电子设备，包括处理器和存储器，所述存储器存储有能够被所述处理器执行的机器可执行指令，所述处理器执行所述机器可执行指令以实现上述任一项所述的半导体设备内部环境的调整方法。本专利技术提供的半导体设备内部环境的调整方法、装置和电子设备，根据所接收到的用户发出的模型调整指令，调整预设的半导体设备的结构模型，并对调整后的该结构模型进行内部环境分析，当判断所得到的分析结果符合预设结果时，根据调整后的该结构模型，对半导体设备的设备结构进行调整，以控制该半导体设备的内部环境。该方法首先通过调整分析半导体设备的结构模型，使其满足预期效果，然后按照调整后的结构模型调整实际半导体设备的结构，即可满足半导体加工器件对半导体设备内部环境的要求，从而提高半导体器件生产良率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种半导体设备结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种半导体设备内部环境的调整方法的流程图；图3为本专利技术实施例提供的另一种半导体设备内部环境的调整方法的流程图；图4为本专利技术实施例提供的一种调整后的半导体设备结构俯视示意图；图5为本专利技术实施例提供的另一种半导体设备内部环境的调整方法的流程图；图6为本专利技术实施例提供的一种采用分离模块的气体和液体流向示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种另一种半导体设备内部环境的调整方法的流程图；图8为本专利技术实施例提供的一种半导体设备内部环境的调整装置的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图。具体实施方式下面将结合实施例对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。集成电路(IntegratedCircuit，简称IC)制造是电子信息产业的核心，是推动国民经济和社会信息化发展的最主要的高新技术之一。随着人工智能、5G通信、物联网及汽车应用等对芯片需求的爆发式增长，半导体工业遇到了巨大的发展契机。而半导体设备所加工的器件尺寸、布线宽度也随着摩尔定律的发展而不断缩小。与此同时，技术节点的升级使得晶圆制造过程工序增加，以CPU芯片为例，90nm节点需400道，而5nm则需要超过1200道，工序增加造成良率降低；一些行业领军者仍存在技术不稳定或良率较低的问题，而造成良率较低的一个重要因素就是制造过程中的微污染。有测算表明，每提高1％良率，对于一个年产6万片的中等工厂来说，会提高两千万至九千万的净收益。基于此，半导体设备的设计理念已开始由“满足各工艺使用要求，提高加工效率”向“提高设备生产产品良率”的方向倾斜。因此，控制半导体设备内部微环境，减少晶圆加工过程中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体设备内部环境的调整方法，其特征在于，所述方法包括：/n接收用户发出的模型调整指令；/n根据所述模型调整指令，调整预设的半导体设备的结构模型；/n对调整后的所述结构模型进行内部环境分析，得到分析结果；/n判断所述分析结果是否符合预设结果；/n如果符合，根据调整后的所述结构模型，对所述半导体设备的设备结构进行调整，以控制所述半导体设备的内部环境。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备内部环境的调整方法，其特征在于，所述方法包括：
接收用户发出的模型调整指令；
根据所述模型调整指令，调整预设的半导体设备的结构模型；
对调整后的所述结构模型进行内部环境分析，得到分析结果；
判断所述分析结果是否符合预设结果；
如果符合，根据调整后的所述结构模型，对所述半导体设备的设备结构进行调整，以控制所述半导体设备的内部环境。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体设备包括多个分区；根据所述模型调整指令，调整预设的半导体设备的结构模型的步骤，包括：
根据所述模型调整指令，调整预设的半导体设备的结构模型中的进风口位置，排风口位置，以及所述多个分区之间的通路，其中，所述通路包括：通路大小、通路位置和通路结构。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
如果不符合，继续执行接收用户发出的模型调整指令的步骤，直至所述分析结果符合所述预设结果。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，如果所述半导体设备的至少一个分区中，同时包含待排出的液体和待排出的气体，则所述半导体设备的至少一个分区中还包括排液口、排风口和分离模块；所述分离模块用于分离所述待排出的液体和所述待排出的气体的流向，以使所述待排出的液体通过所述排液口排出，所述待排出的气体通过所述排风口排出。


5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述半导体设备具有周期性开闭窗口，所述方法还包括：
在每个开闭周期过程中，针对所述半导体设备的每个分区，采集所述分区的气压数据；
将所述分区的气压数据与所述分区的预设气压数据进行比较，输出差异值；
根据所述差异值，调整所述分区的进风量；其中，所述差异值的数量为一个或多个。


6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据所述差异值，调整所述分区的进风量的步骤，包括：
判断所述差异值是否超出预设范围...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨师，李婷，
申请(专利权)人：北京半导体专用设备研究所中国电子科技集团公司第四十五研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11