【技术实现步骤摘要】
本申请涉及曝光领域，具体而言，涉及一种曝光控制方法及装置。
技术介绍
1、在曝光过程中，晶圆表面被划分为多个曝光场区域，掩模图案被透镜缩小后投影曝光在硅片表面上一个曝光场区域内，然后，通过移动硅片到下一个曝光场区域的位置，开始下一次的曝光，直到完成对该硅片表面的所有曝光场区域的曝光。
2、但是在进行曝光过程中，曝光路径通常是静态展示路径规划，并且按照规划后的曝光路径直接进行曝光，没有考虑图形布局较为复杂时无法静态展示具体的曝光路径的情况，也没有考虑曝光路径不正确直接进行曝光操作导致曝光时间和曝光成本增加的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于提供一种曝光控制方法及装置，以克服上述至少一种缺陷。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种曝光控制方法，所述方法包括：在针对晶圆的路径规划界面的作业区域内显示虚拟晶圆和多个虚拟曝光场，所述作业区域上显示有多个栅格，在与所述虚拟晶圆的显示区域存在重合的每个栅格所在位置处显示一虚拟曝光场；响应于路径规划指令，在所述作业...
【技术保护点】
1.一种曝光控制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的曝光控制方法，其特征在于，所述在针对晶圆的路径规划界面的作业区域内显示虚拟晶圆和多个虚拟曝光场，包括：
3.根据权利要求1所述的曝光控制方法，其特征在于，所述曝光方向包括第一曝光方向和第二曝光方向，所述第一曝光方向和所述第二曝光方向为相反方向，
4.根据权利要求3所述的曝光控制方法，其特征在于，所述响应于虚拟曝光指令，按照所述场内曝光路线和所述场间曝光路线，在所述作业区域内动态展示针对所述多个虚拟曝光场的虚拟曝光过程，包括：
5.根据权利要求4所述的曝光控...
【技术特征摘要】
1.一种曝光控制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的曝光控制方法，其特征在于，所述在针对晶圆的路径规划界面的作业区域内显示虚拟晶圆和多个虚拟曝光场，包括：
3.根据权利要求1所述的曝光控制方法，其特征在于，所述曝光方向包括第一曝光方向和第二曝光方向，所述第一曝光方向和所述第二曝光方向为相反方向，
4.根据权利要求3所述的曝光控制方法，其特征在于，所述响应于虚拟曝光指令，按照所述场内曝光路线和所述场间曝光路线，在所述作业区域内动态展示针对所述多个虚拟曝光场的虚拟曝光过程，包括：
5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：谷民东，
申请(专利权)人：北京半导体专用设备研究所中国电子科技集团公司第四十五研究所，
类型：发明
国别省市：
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