存储器器件及其制造方法技术

一些实施例涉及一种存储器器件。该存储器器件包括设置在衬底上的第一磁阻随机存取存储器(MRAM)单元以及设置在衬底上的第二MRAM单元。层间介电(ILD)层设置在衬底上方。ILD层包括在第一MRAM单元和第二MRAM单元之间限定槽的侧壁。介电层设置在ILD层上方。介电层完全填充槽。本发明专利技术的实施例还涉及存储器器件的制造方法。

Memory device and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
存储器器件及其制造方法
本专利技术的实施例涉及存储器器件及其制造方法。
技术介绍
许多现代电子器件包含电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。非易失性存储器能够在断电的情况下保留其存储的数据，而易失性存储器在断电时丢失其存储的数据。由于优于当前电子存储器的优点，磁阻随机存取存储器(MRAM)是下一代非易失性电子存储器的一种有前景的候选。与当前的非易失性存储器(诸如闪存)相比，MRAM通常更快并且具有更好的耐久性。与当前的易失性存储器(诸如动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM))相比，MRAM通常具有相似的性能和密度，但功耗更低。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种存储器器件，包括：第一磁阻随机存取存储器(MRAM)单元，设置在衬底上方；第二磁阻随机存取存储器单元，设置在所述衬底上方；层间介电(ILD)层，设置在所述衬底上方，其中，所述层间介电层包括在所述第一磁阻随机存取存储器单元和所述第二磁阻随机存取存储器单元之间限定槽的侧壁；以及介电层，设置在所述层间介电层上方，其中，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器器件，包括：/n第一磁阻随机存取存储器(MRAM)单元，设置在衬底上方；/n第二磁阻随机存取存储器单元，设置在所述衬底上方；/n层间介电(ILD)层，设置在所述衬底上方，其中，所述层间介电层包括在所述第一磁阻随机存取存储器单元和所述第二磁阻随机存取存储器单元之间限定槽的侧壁；以及/n介电层，设置在所述层间介电层上方，其中，所述介电层完全填充所述槽。/n

【技术特征摘要】
20181023 US 62/749,197;20190515 US 16/412,7141.一种存储器器件，包括：
第一磁阻随机存取存储器(MRAM)单元，设置在衬底上方；
第二磁阻随机存取存储器单元，设置在所述衬底上方；
层间介电(ILD)层，设置在所述衬底上方，其中，所述层间介电层包括在所述第一磁阻随机存取存储器单元和所述第二磁阻随机存取存储器单元之间限定槽的侧壁；以及
介电层，设置在所述层间介电层上方，其中，所述介电层完全填充所述槽。


2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，限定所述槽的所述层间介电层的上表面位于所述第一磁阻随机存取存储器单元和所述第二磁阻随机存取存储器单元的最上表面之上。


3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述介电层包含一种或多种介电材料。


4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述层间介电层包括第一介电材料，其中，所述介电层包括第二介电材料，并且其中，所述第一介电材料是与所述第二介电材料不同的材料。


5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述层间介电层的最上表面位于所述介电层的最上表面下方。


6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述第一磁阻随机存取存储器单元包括第一组外侧壁，并且所述第二磁阻随机存取存储器单元包括第二组外侧壁，其中，所述介电层在所述第一组外侧壁和所述第二组外侧壁之间横向间隔开。


7.根据权利要求1所述的存储器器件，其中，所述介电层包括正硅酸乙酯和氮氧化硅。


8.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈胜昌，庄学理，王宏烵，黄胜煌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71