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一些实施例涉及一种存储器器件。该存储器器件包括设置在衬底上的第一磁阻随机存取存储器(MRAM)单元以及设置在衬底上的第二MRAM单元。层间介电(ILD)层设置在衬底上方。ILD层包括在第一MRAM单元和第二MRAM单元之间限定槽的侧壁。介电...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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