【技术实现步骤摘要】
化学机械式研磨装置的调节器
本专利技术涉及化学机械式研磨装置的调节器,更具体而言,涉及一种能够提高研磨垫的调节准确度及稳定性的化学机械式研磨装置的调节器。
技术介绍
一般而言,化学机械式研磨(ChemicalMechanicalPolishing;CMP)工序被认为是使具备研磨层的半导体制作所需的晶片等的晶片与研磨盘之间进行相对旋转,从而研磨晶片表面的标准工序。图1是概略地图示以往的化学机械式研磨装置的图,图2是图示以往的化学机械式研磨装置的调节器的图。参照图1及图2,以往的化学机械式研磨装置1由研磨盘10、研磨头20和调节器300构成,所述研磨盘10在上面附着有研磨垫11,所述研磨头20安装要研磨的晶片W,在接触研磨垫11上面的同时旋转,所述调节器300以预先确定的加压力对研磨垫11的表面加压的同时进行微细切削,使得在研磨垫11表面形成的微孔在表面显现。研磨盘10上附着有研磨晶片W的研磨垫11,随着旋转轴12旋转驱动而旋转运动。研磨头20由承载头(未图示)和研磨臂(未图示)构成,所述承载头(未图示)位于研磨盘10的研磨垫11的上面,用于把持晶片W,所述研磨臂(未图示)旋转驱动承载头并按恒定振幅进行往复运动。调节器30细微地切削研磨垫11的表面,以便不堵塞在研磨垫11表面起到盛装研磨剂和化学物质的混合浆料的作用的大量发泡微孔,并使填充于研磨垫11发泡气孔内的浆料顺畅地供应给被承载头21把持的晶片W。调节器30包括旋转轴32、相对于旋转轴320而沿上下方向能移动地结合的盘支架34 ...
【技术保护点】
1.一种化学机械式研磨装置的调节器,其中,包括:/n调节盘,用于对研磨垫进行重整;/n加压部,用于向所述调节盘施加轴向加压力;/n测量部,用于测量来自所述加压部的所述加压力;/n控制部,基于所述测量部测量的所述加压力,控制所述调节盘相对于所述研磨垫的相对速度参数。/n
【技术特征摘要】
20181017 KR 10-2018-01240311.一种化学机械式研磨装置的调节器,其中,包括:
调节盘,用于对研磨垫进行重整;
加压部,用于向所述调节盘施加轴向加压力;
测量部,用于测量来自所述加压部的所述加压力;
控制部,基于所述测量部测量的所述加压力,控制所述调节盘相对于所述研磨垫的相对速度参数。
2.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置的调节器,其中,
所述相对速度参数为所述调节盘的旋转速度。
3.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置的调节器,其中,
所述相对速度参数为所述研磨垫的旋转速度。
4.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置的调节器,其中,
所述相对速度参数为所述调节盘相对于所述研磨垫的摆动移动速度。
5.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置的调节器,其中,
所述相对速度参数为所述研磨垫相对于所述调节盘的振动移动速度。
6.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置的调节器,其中,
当所述加压力增加时,所述控制部降低所述相对速度参数,
当所述加压力减小时,所述控制部提高所述相对速度参数。
7.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置的调节器,其中,
包括数据库,所述数据库中按照所述加压力而存储有互不相同的多个相对速度参数,
所述控制部从所述数据库中提取一个以上的所述相对速度参数。
8.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置的调节器,其中,
所述测量部在进行所述研磨垫的调节期间,实时测量所述加压力。
9.根据权利要求1所述的化学机械式研磨装置的调节器,其中,
包括旋转部,所述旋转部结合于所述调节盘的上部,使所述调节盘旋转,
所述加压部配置于所述旋转部的上部,所述测量部配置于所述加压部与所述旋转部之间,在将来自所述加压部的所述加压力传递到所述旋转部的同时,测量所述加压力。
10.根据权利要求9所述的化学机械式研磨装置的调节器,其中,
所述测量部借助于所述加压部而选择性地沿上下方向移动,以与所述旋转部接触或隔开。
11.根据权利要求10所述的化学机械式研磨装置的调节器,其中,
包括结合于所述旋转部的上部的第一耦合器,
当所述测量部借助于所述加压部而向下部移动时,所述测量部接触所述第一耦合器,所述加压力则经由所述第一耦合器而传递到所述旋转部...
【专利技术属性】
技术研发人员:金泰贤,赵珳技,
申请(专利权)人:凯斯科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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