【技术实现步骤摘要】
半导体存放装置
本技术实施例涉及集成电路领域，特别涉及一种半导体存放装置。
技术介绍
在集成电路领域，半导体器件表面吸附的静电会导致半导体器件的损伤，并影响后续工艺，进而降低半导体器件的质量。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种半导体存放装置，包括：导电容置腔，用于存放半导体器件，且用于收集环境中能够干扰所述半导体器件的电荷；导出结构，与所述导电容置腔连接，用于将所述导电容置腔上收集的电荷导出。可选地，所述导电容置腔包括：壳体，用于形成所述导电容置腔；导电支架，支撑在所述壳体内。可选地，所述导电容置腔内并列设置有多个所述导电支架；其中，相邻的两个所述导电支架之间形成容置区，所述容置区用于存放所述半导体器件；所述导出结构包括：导电连接体，位于所述壳体内，用于连接所述导电支架。可选地，所述导出结构还包括：导电凸起，与所述导电连接体相连，所述导电凸起经所述壳体上的孔，从所述壳体内至所述壳体外，以导出所述导电容置腔上收集...
【技术保护点】
1.一种半导体存放装置，其特征在于，包括：/n导电容置腔，用于存放半导体器件，且用于收集环境中能够干扰所述半导体器件的电荷；/n导出结构，与所述导电容置腔连接，用于将所述导电容置腔上收集的电荷导出。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体存放装置，其特征在于，包括：
导电容置腔，用于存放半导体器件，且用于收集环境中能够干扰所述半导体器件的电荷；
导出结构，与所述导电容置腔连接，用于将所述导电容置腔上收集的电荷导出。
2.根据权利要求1所述的半导体存放装置，其特征在于，所述导电容置腔包括：
壳体，用于形成所述导电容置腔；
导电支架，支撑在所述壳体内。
3.根据权利要求2所述的半导体存放装置，其特征在于，
所述导电容置腔内并列设置有多个所述导电支架；其中，相邻的两个所述导电支架之间形成容置区，所述容置区用于存放所述半导体器件；
所述导出结构包括：
导电连接体，位于所述壳体内，用于连接所述导电支架。
4.根据权利要求3所述的半导体存放装置，其特征在于，所述导出结构还包括：
导电凸起，与所述导电连接体相连，所述导电凸起经所述壳体上的孔，从所述壳体内至所述壳体外，以导出所述导电容置腔上收集的电荷。
5.根据权利要求4所述的半导体存放装置，其特征在于，
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【专利技术属性】
技术研发人员：王凡，周毅，邓常敏，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42
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