鳍式晶体管版图参数抽取计算方法及其抽取计算系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于calibre svrf语言编辑LVS文件实现的鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，包括定义鳍式晶体管扩散区、栅区和源漏区，计算漏区宽度和扩散区内等效鳍的数量。本发明专利技术还公开了基于calibre svrf语言编辑LVS文件实现的鳍式晶体管版图参数抽取计算系统。本发明专利技术经过网表结果与实际版图的对比，本发明专利技术能准确、快速抽取鳍式场效晶体管的沟道宽度和扩散区内等效鳍的数量。本发明专利技术的实施对象并不限定器件的特殊类型，版图中鳍式晶体管鳍的形状与方向不影响本发明专利技术的参数抽取计算结果，版图中图层名称不影响本发明专利技术的参数抽取计算结果。并且，本发明专利技术可以同时支持两种版图状态的扩散区，无需再进行版图修改，进一步提高版图参数抽取设计效率。

Calculation method and system of fin transistor layout parameter extraction

【技术实现步骤摘要】
鳍式晶体管版图参数抽取计算方法及其抽取计算系统
本专利技术涉及集成电路制造领域，涉及一种鳍式晶体管版图参数抽取计算方法。本专利技术还涉及一种鳍式晶体管版图参数抽取计算系统。
技术介绍
在半导体集成电路技术中，随着集成技术的发展，集成电路制造的工艺节点不断降低，制造难度逐渐增加，在平面结构极限的基础上发展出的鳍式场效晶体管(FinFet)技术使集成电路产业再一次革新。这种三维立体结构的晶体管不同于平面结构工艺，器件形成在类似于鱼鳍的扩散区中，造成器件的识别与参数提取方法与平面结构不同。在集成电路版图绘制过程中，需要利用电子设计自动化(EDA)工具对器件的版图进行参数抽取与设计版图布局比原理图LVS(LayoutVersusSchematics)验证，以保证版图设计的正确性。在Finfet技术节点，鳍式场效晶体管的有效扩散区(ActiveArea，AA)为鱼鳍结构(Fin)。由于其结构原因，并没有能准确快速抽取计算鳍式晶体管版图参数的方法。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术要解决的技术问题是提供一种基于calibresvrf语言编辑LVS文件实现，能快速朱其内抽取计算鳍式晶体管版图参数的方法。本专利技术要解决的另一技术问题是提供一种基于calibresvrf语言编辑LVS文件实现，能快速朱其内抽取计算鳍式晶体管版图参数的系统。为解决上述技术问题，本专利技术提供基于calibresvrf语言编辑LVS文件实现的鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，包括以下步骤：S1,定义鳍式晶体管扩散区；S2,定义鳍式晶体管栅区；S3,定义鳍式晶体管源漏区；S4,计算沟道宽度，沟道宽度为栅区与源漏区重合部分总边长的二分之一。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，步骤S1中定义鳍式晶体管扩散区包括以下步骤；S1.1，若该版图中存在扩散区图层，则提取该扩散区图层作为第一类扩散区；S1.2，若该版图中不存在扩散区图层，则将鳍式扩散区去除精细鳍式截断区和精细鳍式截断区后，将图形扩大二分之一鳍的节距，再缩小二分之一鳍的节距，得到第二类扩散区；S1.3,扩散区＝第一类扩散区+第二类扩散区。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，利用calibresvrf语言编辑LVS文件定义扩散区，关键代码为AAeff＝AAeff1ORAAeff2。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，步骤S2中定义鳍式晶体管栅区为扩散区与多晶硅交集部分。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，利用calibresvrf语言编辑LVS文件定义栅区，关键代码为Gate＝AAeffANDpoly。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，步骤S3中定义源漏区为扩散区扣除栅极部分。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，利用calibresvrf语言编辑LVS文件定义源漏区，关键代码为SD_MOS＝AAeffNOTGate。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，利用calibresvrf语言编辑LVS文件计算沟道宽度，关键代码为可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，还包括：S5，计算扩散区内等效鳍的数量Nfin，Wfin为每一根鳍的宽度，为定值，与工艺参数相关；Fpitch为鳍的节距，W为沟道宽度。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，还包括：S6，电子设计自动化工具，输出运行结果，查验sp文件。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，所述鳍式晶体管包括鳍式场效晶体管和鳍式金属氧化物半导体变容二极管。本专利技术提供一种基于calibresvrf语言编辑LVS文件实现的鳍式晶体管版图参数抽取计算系统，包括：区域定义模块，其适用于定义鳍式晶体管扩散区、鳍式晶体管栅区和鳍式晶体管源漏区；计算模块,其适用于计算沟道宽度，沟道宽度为栅区与源漏区重合部分总边长的二分之一。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算系统，区域定义模块定义鳍式晶体管扩散区为：若该版图中存在扩散区图层，则提取该扩散区图层作为第一类扩散区；若该版图中不存在扩散区图层，则将鳍式扩散区去除精细鳍式截断区和精细鳍式截断区后，将图形扩大二分之一鳍的节距，再缩小二分之一鳍的节距，得到第二类扩散区；扩散区＝第一类扩散区+第二类扩散区。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算系统，区域定义模块利用calibresvrf语言编辑LVS文件定义扩散区，关键代码为AAeff＝AAeff1ORAAeff2。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算系统，区域定义模块定义鳍式晶体管栅区为扩散区与多晶硅交集部分。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算系统，区域定义模块利用calibresvrf语言编辑LVS文件，关键代码为Gate＝AAeffANDpoly。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算系统，区域定义模块定义源漏区为扩散区扣除栅极部分。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算系统，区域定义模块利用calibresvrf语言编辑LVS文件定义源漏区，关键代码为SD_MOS＝AAeffNOTGate。计算模块,利用calibresvrf语言编辑LVS文件计算沟道宽度，关键代码为可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算系统，计算模块还计算扩散区内等效鳍的数量Nfin，Wfin为每一根鳍的宽度，为定值，与工艺参数相关；Fpitch为鳍的节距，W为沟道宽度。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算系统，还包括：验证模块，其利用电子设计自动化工具，输出运行结果，查验sp文件。可选择的，进一步改进所述鳍式晶体管版图参数抽取计算系统，所述鳍式晶体管包括鳍式场效晶体管和鳍式金属氧化物半导体变容二极管。根据本专利技术所提供的鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，经过网表结果与实际版图的对比，网表结果显示与实际版图尺寸吻合，证明此本专利技术的鳍式晶体管版图参数抽取计算方法能准确、快速抽取鳍式场效晶体管的沟道宽度和扩散区内等效鳍的数量。并且，本专利技术的实施对象并不限定器件的特殊类型，只要符合鳍式场效应晶体管定义的器件均可以采用本专利技术的方案进行参数提取计算。例如，鳍式金属氧化物半导体变容二极管(MOSVaractor)。版图中鳍式晶体管鳍的形状与方向不影响本专利技术的参数抽取计算结果，版图中图层名称不影响本专利技术的参数抽取计本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，基于calibre svrf语言编辑LVS文件实现，其特征在于，包括以下步骤：/nS1,定义鳍式晶体管扩散区；/nS2,定义鳍式晶体管栅区；/nS3,定义鳍式晶体管源漏区；/nS4,计算沟道宽度，沟道宽度为栅区与源漏区重合部分总边长的二分之一。/n

【技术特征摘要】
1.一种鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，基于calibresvrf语言编辑LVS文件实现，其特征在于，包括以下步骤：
S1,定义鳍式晶体管扩散区；
S2,定义鳍式晶体管栅区；
S3,定义鳍式晶体管源漏区；
S4,计算沟道宽度，沟道宽度为栅区与源漏区重合部分总边长的二分之一。


2.如权利要求1所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于：步骤S1中定义鳍式晶体管扩散区包括以下步骤；
S1.1，若该版图中存在扩散区图层，则提取该扩散区图层作为第一类扩散区；
S1.2，若该版图中不存在扩散区图层，则将鳍式扩散区去除精细鳍式截断区和精细鳍式截断区后，将图形扩大二分之一鳍的节距，再缩小二分之一鳍的节距，得到第二类扩散区；
S1.3,扩散区＝第一类扩散区+第二类扩散区。


3.如权利要求2所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于：利用calibresvrf语言编辑LVS文件定义扩散区，关键代码为AAeff＝AAeff1ORAAeff2。


4.如权利要求1所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于：步骤S2中定义鳍式晶体管栅区为扩散区与多晶硅交集部分。


5.如权利要求4所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于：利用calibresvrf语言编辑LVS文件定义栅区，关键代码为Gate＝AAeffANDpoly。


6.如权利要求1所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于：步骤S3中定义源漏区为扩散区扣除栅极部分。


7.如权利要求6所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于：利用calibresvrf语言编辑LVS文件定义源漏区，关键代码为SD_MOS＝AAeffNOTGate。


8.如权利要求1所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于：利用calibresvrf语言编辑LVS文件计算沟道宽度，关键代码为


9.如权利要求1所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于，还包括：
S5，计算扩散区内等效鳍的数量Nfin，
Wfin为每一根鳍的宽度，为定值，与工艺参数相关；Fpitch为鳍的节距，W为沟道宽度。


10.如权利要求1-9任意一项所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于，还包括：
S6，电子设计自动化工具，输出运行结果，查验sp文件。


11.如权利要求1-9任意一项所述鳍式晶体管版图参数抽取计算方法，其特征在于：所述鳍式晶体管包括鳍式场效晶体管和鳍式金属氧化物半导体变容二极管。


12.一种鳍式...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵梓夷，杨婷，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31