【技术实现步骤摘要】
化合物单晶及其制备方法
本专利技术涉及单晶结构解析领域，特别是涉及化合物单晶及其制备方法。
技术介绍
单晶结构测定是解析化合物多晶型的晶体结构、确定手性化合物绝对构型、明确药物与靶点的结合机制等超分子作用过程的关键步骤。单晶X射线衍射是目前解析单晶结构的主流技术，其关键步骤是培养尺寸足够大(>50μm)、质量足够好的单晶。很多单晶结构无法成功解析往往受限于单晶培养这一关键步骤。溶液结晶是单晶培养的传统方法，但存在变量多(溶剂种类、过饱和度、温度、溶剂的挥发速率等)、周期长的缺点。有些晶型，仅可从熔体中获得，无法从溶液中获得，因此这类晶型无法从溶剂中培养单晶，导致晶体结构无法解析，比如奥氮平中间体5-甲基2-[(2-硝基苯)氨基]-3-噻吩甲腈(ROY)的Y04晶型和硝苯地平的γ晶型。熔体结晶培养单晶通常遇到的问题是：1)多晶共生和交叉成核是熔体结晶中非常普遍的现象，使得从过冷熔体中培养单晶异常困难；2)亚稳晶型在高温下容易转变为稳定晶型；3)对于热敏感药物，熔体结晶易导致化学降解问题。例如：RO...
【技术保护点】
1.一种化合物单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)熔融化合物，至获得直径为100μm-5mm的过冷熔体小液滴；/n2)使所述过冷熔体小液滴在T
【技术特征摘要】
1.一种化合物单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)熔融化合物，至获得直径为100μm-5mm的过冷熔体小液滴；
2)使所述过冷熔体小液滴在T1温度下自发成核，获得一颗所述化合物目标晶型的单晶晶核，Tg<T1<Tm，所述Tg为所述化合物目标晶型的玻璃化转变温度，所述Tm为所述化合物目标晶型的熔点；
3)若未获得一颗所述化合物目标晶型的单晶晶核，将温度从T1升高至T2，保持T1<T2<Tm，直至获得一颗所述化合物目标晶型的单晶晶核；
4)将含有一颗单晶晶核的所述过冷熔体小液滴于T3温度下培养，得单晶。
2.根据权利要求1所述的化合物单晶的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，熔融化合物，至获得直径为100μm-500μm的过冷熔体小液滴。
3.根据权利要求1所述的化合物单晶的制备方法，其特征在于，所述步骤4)具体为：
a)将含有一颗单晶晶核的所述过冷熔体小液滴于T3温度下恒温培养；
b)若未出现非晶体学分叉，即得单晶；
c)若出现非晶体学分叉，则重复步骤1)、步骤2)和步骤3)，至获得一颗所述化合物目标晶型单晶晶核，将含有一颗单晶晶核的所述过冷熔体小液滴于T4温度下恒温培养，获得单晶；所述温度T4须满足T3＜T4＜Tm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的化合物单晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)在126±1℃下熔融奥氮平...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆明，黄思咏，李锡祯，欧霄，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。