阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制作方法。阵列基板的制作方法，包括制作源漏极层步骤，所述源漏极层包括从下至上依次层叠设置的下阻隔层、导电层以及上阻隔层，所述制作源漏极层步骤包括：上阻隔层亲油性处理以及制作光阻层。本发明专利技术通过改变构成源漏极层的上阻隔层的亲水性改变为亲油性，能够通过增加上阻隔层与光刻胶黏附性避免光刻胶的边缘产生翘起，从而防止上阻隔层在蚀刻时产生内缩，有效避免导电层被氧化，且不需开发光刻胶的新材料及购置新机台，可以节约生产成本。

Array substrate and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
如图1所示，为现有的一种背沟道刻蚀型阵列基板90的结构示意图，其包括有源层91以及位于有源层91上的源漏极层92，源漏极层92的结构普遍采用从下至上依次层叠设置的下阻隔层921、导电层922和上阻隔层923的三明治结构，其中导电层的922材质优选为铜，上阻隔层923主要是防止后续SiOx成膜进行高温处理以及N2O处理时导致导电层的严重氧化，下阻隔层921也起到防止铜扩散到阵列基板沟道中的作用。上阻隔层923通常采用金属或合金，但因上阻隔层923与光刻胶93黏附性不佳，会导致光刻胶93与上阻隔层923边缘产生翘起，在上阻隔层923刻蚀时会在光刻胶93翘起部位被刻蚀，导致上阻隔层923内缩。如图2所示，为实际制作时上阻隔层923内缩的阵列基板90的结构示意图，导致无法有效防止导电层922被氧化。目前业界通常采取更换光刻胶93的方式解决此问题，但此种方法光刻胶93材料的成本高，产能损失较大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括制作源漏极层步骤，所述源漏极层包括从下至上依次层叠设置的下阻隔层、导电层以及上阻隔层，所述制作源漏极层步骤包括：/n上阻隔层亲油性处理，对所述上阻隔层进行清洗将其上表面的亲水性改变为亲油性；以及/n制作光阻层，在所述上阻隔层上通过涂布光刻胶的方式制作光阻层，所述光阻层与所述上阻隔层完全贴附。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括制作源漏极层步骤，所述源漏极层包括从下至上依次层叠设置的下阻隔层、导电层以及上阻隔层，所述制作源漏极层步骤包括：
上阻隔层亲油性处理，对所述上阻隔层进行清洗将其上表面的亲水性改变为亲油性；以及
制作光阻层，在所述上阻隔层上通过涂布光刻胶的方式制作光阻层，所述光阻层与所述上阻隔层完全贴附。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述上阻隔层亲油性处理步骤之前还包括：
制作下阻隔层；
制作导电层，在所述下阻隔层上制作导电层；以及
制作上阻隔层，在所述导电层上制作上阻隔层。


3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述制作源漏极层步骤之前还包括：
制作衬底基板；以及
制作半导体层，在所述衬底基板上制作半导体层；在所述半导体层上制作所述下阻隔层。


4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述制作光阻层步骤之后还包括：
光阻层图案化，通过刻蚀所述光阻层形成图案化的光阻层。


5.根据权利要求4所述的阵列基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑立彬，刘晓伟，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44