【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
随着显示技术的开发,低温多晶硅(Low-temperaturepolycrystallinesilicon,简称LTPS)技术运用在大尺寸产品的占比越来越高。在低温多晶硅技术的电路中,对走线的阻抗要求比较高,尤其是栅极走线。栅极走线控制该电路中的一排的器件,而栅极走线本身存在一定的阻抗。对于小尺寸面板而言,栅极走线比较短,其阻抗对该电路影响不大。然而,当面板尺寸增大,栅极走线也随之增长,栅极走线的自身电阻就会对该电路产生一定的影响。于是,电阻分压的作用会越来越明显。亦即,驱动电流沿着栅极走线传输至位于较远距离位置的器件时,驱动电压也相应地降低。当驱动电压降低至一定值时,可能会导致器件无法正常开启。因此,为了避免上述情况的发生,亟需提供一种新的设计方案,以解决上现有技术中存在的不足。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,本专利技术实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置,能够有效解栅极 ...
【技术保护点】
1.一种阵列基板,所述阵列基板包括走线区以及TFT器件功能区,其特征在于,所述走线区包括:/n一栅极走线层;/n一介质层,设置于所述栅极走线层上;以及/n一数据走线层,设置于所述介质层上;/n在所述介质层上设置多个通孔,所述数据走线层通过所述通孔与所述栅极层走线连接;所述数据走线层所形成的数据走线和所述栅极层所形成的栅极走线在位于所述通孔位置处为并联结构。/n
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,所述阵列基板包括走线区以及TFT器件功能区,其特征在于,所述走线区包括:
一栅极走线层;
一介质层,设置于所述栅极走线层上;以及
一数据走线层,设置于所述介质层上;
在所述介质层上设置多个通孔,所述数据走线层通过所述通孔与所述栅极层走线连接;所述数据走线层所形成的数据走线和所述栅极层所形成的栅极走线在位于所述通孔位置处为并联结构。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述数据走线层形成有多个凸部,所述多个凸部通过所述多个通孔与所述第一栅极层连接,且所述多个凸部沿所述第一栅极层的宽度方向凸出于所述第一栅极层。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,每一所述凸部所在区域与每一所述通孔所在区域对应。
4.如...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹志浩,
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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