一种TFT阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术涉及一种TFT阵列基板及其制备方法、显示面板，本发明专利技术通过对所述多晶硅层进行离子掺杂，其内掺杂的离子包括Ar+、B+、PHx+中的至少一种，且离子掺杂的浓度在所述基板至所述栅极层的堆叠方向上呈高斯分布，所述高斯分布的峰值可以设置于所述多晶硅层内，也可以设置于所述缓冲层和所述多晶硅层的接触面，还可以设置于所述缓冲层内，以此保持Vth稳定，增大S.S.或data range，改善画面均一性，提高显示面板温度场中的工作稳定性。

A TFT array substrate and its preparation method and display panel

【技术实现步骤摘要】
一种TFT阵列基板及其制备方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种TFT阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
显示装置可以把计算机的数据变换成各种文字、数字、符号或直观的图像显示出来，并且可以利用键盘等输入工具把命令或数据输入计算机，借助系统的硬件和软件随时增添、删改、变换显示内容。显示装置根据所用之显示器件分为等离子、液晶、发光二极管和阴极射线管等类型。有机发光显示装置(英文全称：OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED)又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。OLED的工作原理是：当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对)，而此激发态在通常的环境中是不稳定的，激发态的激子复合并将能量传递给发光材料，使其从基态能级跃迁为激发态，激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子，释放出光能，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色，构成基本色彩。OLED具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：/n基板；/n缓冲层，所述缓冲层设置于所述基板上；/n多晶硅层，所述多晶硅层设置于所述缓冲层上；/n源极，所述源极设置于所述多晶硅层的一侧的所述缓冲层上；/n漏极，所述漏极设置于所述多晶硅层的另一侧的所述缓冲层上；/n栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述多晶硅层、源极、漏极上；/n栅极层，所述栅极层设置于所述栅极绝缘层上；/n其中所述多晶硅层经过了离子掺杂处理，其内掺杂的离子包括Ar+、B+、PHx+中的至少一种，其中掺杂离子的浓度在所述基板至所述栅极层的堆叠方向上呈高斯分布，所述高斯分布的峰值位置设置在所述多晶硅层内。/n

【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
缓冲层，所述缓冲层设置于所述基板上；
多晶硅层，所述多晶硅层设置于所述缓冲层上；
源极，所述源极设置于所述多晶硅层的一侧的所述缓冲层上；
漏极，所述漏极设置于所述多晶硅层的另一侧的所述缓冲层上；
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置于所述多晶硅层、源极、漏极上；
栅极层，所述栅极层设置于所述栅极绝缘层上；
其中所述多晶硅层经过了离子掺杂处理，其内掺杂的离子包括Ar+、B+、PHx+中的至少一种，其中掺杂离子的浓度在所述基板至所述栅极层的堆叠方向上呈高斯分布，所述高斯分布的峰值位置设置在所述多晶硅层内。


2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述高斯分布的峰值位置还设置在所述缓冲层和所述多晶硅层的接触面。


3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述高斯分布的峰值位置还设置在所述缓冲层内。


4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述多晶硅层的厚度范围为300-600埃。


5.一种制备权利要求1所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：余晶晶，王威，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42