阵列基板及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制备方法和显示装置，该方法包括：提供一衬底基板；在衬底基板上形成导电材料薄膜；在导电材料薄膜背离衬底基板的一侧形成第一光刻胶层；第一光刻胶层包括用于制作栅极的第一覆盖部分、用于制作信号线的第二覆盖部分和位于第二覆盖部分两侧且与第二覆盖部分相连的第三覆盖部分，第三覆盖部分的厚度小于第二覆盖部分的厚度；对导电材料薄膜的未被第一光刻胶层覆盖的部分进行刻蚀，以获得第一刻蚀图案；对第一光刻胶层进行灰化处理，以去除第三覆盖部分，获得第二光刻胶层；对第一刻蚀图案的未被第二光刻胶层覆盖的部分进行刻蚀，以获得栅极和信号线。通过本发明专利技术提高了显示产品的显示质量。

Array substrate and its preparation method and display device

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法和显示装置
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置。
技术介绍
目前，顶栅型薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor，简称TFT)具有短沟道的特点，所以其开态电流得以有效提升，因而可以显著提升显示效果并且能有效降低功耗。在实际工艺过程中，需要在完成栅极层曝光和刻蚀构图工艺后，采用自对准工艺对栅极层下方的栅极绝缘层进行刻蚀然后紧接着进行有源层的导体化工艺，为了防止导体化过程中氦等离子体在有源层沟道内的横向扩散和上方的栅极金属原子通过有源层两端向沟道内扩散，工艺上采用将栅极刻蚀后的线宽与光刻胶的线宽差异做大，这样光刻胶可以更好的保护栅极图形下方左右两侧的栅极绝缘层免于刻蚀，形成一定宽度的层位，从而对下方的有源层的导体化工艺起到一定的保护限制作用，可以有效避免有源层的导体化过程中氦等离子体在有源层的沟道内的横向扩散和上方的栅极金属原子通过有源层的两端向沟道内扩散，从而确保TFT特性的稳定性。但是随着显示产品逐渐向大尺寸和高像素密度(PixelsPerInch，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供一衬底基板；/n在所述衬底基板上形成导电材料薄膜；/n在所述导电材料薄膜背离所述衬底基板的一侧形成第一光刻胶层；其中，所述第一光刻胶层包括用于制作栅极的第一覆盖部分、用于制作信号线的第二覆盖部分和位于所述第二覆盖部分两侧且与所述第二覆盖部分相连的第三覆盖部分，所述第三覆盖部分的厚度小于所述第二覆盖部分的厚度；/n对所述导电材料薄膜的未被所述第一光刻胶层覆盖的部分进行刻蚀，以获得第一刻蚀图案；/n对所述第一光刻胶层进行灰化处理，以去除所述第三覆盖部分，获得第二光刻胶层；/n对所述第一刻蚀图案的未被所述第二光刻胶层覆盖的部分进行刻蚀，以...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上形成导电材料薄膜；
在所述导电材料薄膜背离所述衬底基板的一侧形成第一光刻胶层；其中，所述第一光刻胶层包括用于制作栅极的第一覆盖部分、用于制作信号线的第二覆盖部分和位于所述第二覆盖部分两侧且与所述第二覆盖部分相连的第三覆盖部分，所述第三覆盖部分的厚度小于所述第二覆盖部分的厚度；
对所述导电材料薄膜的未被所述第一光刻胶层覆盖的部分进行刻蚀，以获得第一刻蚀图案；
对所述第一光刻胶层进行灰化处理，以去除所述第三覆盖部分，获得第二光刻胶层；
对所述第一刻蚀图案的未被所述第二光刻胶层覆盖的部分进行刻蚀，以获得所述栅极和信号线。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述导电材料薄膜背离所述衬底基板的一侧形成第一光刻胶层，具体包括：
在所述导电材料薄膜背离所述衬底基板的一侧形成光刻胶薄膜；
采用半色调掩膜板对所述光刻胶薄膜进行曝光；
对曝光后的所述光刻胶薄膜进行显影，以得到所述第一光刻胶层。


3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述衬底基板上形成导电材料薄膜的步骤之前，还包括：
在所述衬底基板上依次形成遮光层、缓冲层、有源层和用于制作栅极绝缘层的薄膜。


4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述对所述第一刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宁，周斌，刘军，王庆贺，宋威，李伟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11