【技术实现步骤摘要】
一种TFT基板的离子注入方法和制作方法
本专利技术涉及TFT制备领域，尤其涉及一种TFT基板的离子注入方法和制作方法。
技术介绍
在制备LTPS-TFT的多道工序中，都需要对TFT基板进行离子注入，以改善对应功能层的全局或局部性能。在离子掺杂工艺中，一般采用光刻胶覆盖TFT基板，然后对光刻胶进行曝光显影，以露出对应功能层的待掺杂区域，然后将离子注入到露出的待掺杂区域中，但是，光刻胶的涂布、曝光、显影和脱膜等需要多道步骤，步骤复杂，生产效率低下，生产成本高，且离子束作用在光刻胶上会导致光刻胶的表面硬化、灰化，增加了最后对光刻胶进行脱膜的难度。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足，本专利技术提供一种TFT基板的离子注入方法，无需光刻胶也可精准地对TFT基板进行离子注入。本专利技术还提供一种TFT基板的制作方法。本专利技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：一种TFT基板的离子注入方法，步骤如下：将掩膜板与TFT基板进行对位，使所述掩膜板上的开口区与所述TFT基板的...
【技术保护点】
1.一种TFT基板的离子注入方法，其特征在于，步骤如下：/n将掩膜板与TFT基板进行对位，使所述掩膜板上的开口区与所述TFT基板的待掺杂区对齐，所述掩膜板上的非开口区与所述TFT基板的非掺杂区对齐；/n发射离子束，使所述离子束透过所述掩膜板的开口区对所述TFT基板的待掺杂区进行离子注入。/n
【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的离子注入方法，其特征在于，步骤如下：
将掩膜板与TFT基板进行对位，使所述掩膜板上的开口区与所述TFT基板的待掺杂区对齐，所述掩膜板上的非开口区与所述TFT基板的非掺杂区对齐；
发射离子束，使所述离子束透过所述掩膜板的开口区对所述TFT基板的待掺杂区进行离子注入。
2.根据权利要求1所述的TFT基板的离子注入方法，其特征在于，在所述掩膜板与所述TFT基板完成对位后，对所述TFT基板进行离子注入之前，先将所述掩膜板放置在所述TFT基板上。
3.根据权利要求2所述的TFT基板的离子注入方法，其特征在于，在将所述掩膜板放置在所述TFT基板上后，对对所述TFT基板进行离子注入之前，先对所述掩膜板进行锁定，以固定所述掩膜板与所述TFT基板之间的相对位置。
4.根据权利要求2或3所述的TFT基板的离子注入方法，其特征在于，在对所述TFT基板完成离子注入后，还包括步骤如下：
将所述掩膜板从所述TFT基板上取走。
5.根据权利要求1所述的TFT基板的离子注入方法，其特征在于，所述掩膜板与所述TFT基板之间的对位在对位腔室或制程腔室中进行。
6.根据权利要求5所述的TFT基板的离子注入方法，其特征在于，若所述掩膜板与所述TFT基板之间的对位在所述对位腔室中进行，则在将所述掩膜板与所述TFT基板进行对位之前，先在载片腔室内装载所述TFT基板，然后...
【专利技术属性】
技术研发人员：周波，林锦辉，陈飞，郑志雄，吴虎，
申请(专利权)人：信利仁寿高端显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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