阵列基板及其制造方法技术

本揭示公开一种阵列基板的制造方法，其藉由(1)在一光刻制程中，以一光阻图案作为掩膜，形成LTPS薄膜晶体管的第一栅极前体与氧化物薄膜晶体管的第二栅极前体，(2)以所述光阻图案作为掩膜进行离子重掺杂，使多晶硅层的两相对侧形成离子重掺杂区，(3)再蚀刻第一栅极前体及第二栅极前体，以形成第一栅极及第二栅极，(4)去除所述光阻图案，并以第一栅极作为掩膜，进行离子轻掺杂，使多晶硅层的两相对侧形成离子轻掺杂区，以及(5)在另一光刻制程中形成LTPS薄膜晶体管的两第一源漏极与氧化物薄膜晶体管的两第二源漏极，以在不影响LTPS薄膜晶体管制程和氧化物薄膜晶体管制程的兼容性下，减少所需的掩膜数量。本揭示还公开一种通过所述方法制成的阵列基板。

Array substrate and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法
本揭示涉及液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)
，特别是涉及一种阵列基板及其制造方法。
技术介绍
LCD因具有高画质、省电及轻薄等优点，而被广泛的应用。近年来，LCD不断朝向窄边框和低功耗发展。为使LCD在有限的空间和电池容量下能更省电，低温多晶氧化物(LowTemperaturePoly-Oxide，LTPO)技术应运而生。LTPO技术一般是在阵列基板栅驱动电路(GatedriveronArray，GOA)区采用低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管，其具有迁移率高、尺寸小、充电快的优点而能有效减小边框尺寸。并且，在显示区(ActiveArea，AA)采用氧化物薄膜晶体管，诸如铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide，IGZO)薄膜晶体管，其暗电流小、可低频驱动。因此，LTPO技术可同时实现窄边框和低功耗。然而，为了解决LTPS薄膜晶体管制程和氧化物薄膜晶体管制程的兼容性问题，现今的LTPO技术需要使用十多个掩膜，成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于：其包含：/n提供一基板，其中所述基板包含一显示区及围绕所述显示区的一栅驱动电路区；/n形成一多晶硅层于所述基板的栅驱动电路区上；/n涂布一栅绝缘层于所述基板及所述多晶硅层上；/n形成一第一金属层于所述栅绝缘层上；/n形成一光阻图案于所述第一金属层上；/n用所述光阻图案作为掩膜，蚀刻所述第一金属层，以形成在所述栅驱动电路区内的一第一栅极前体及在所述显示区内的一第二栅极前体；/n用所述光阻图案作为掩膜进行离子重掺杂，使所述多晶硅层的两相对侧形成两离子重掺杂区；/n用所述光阻图案作为掩膜，再蚀刻所述第一栅极前体及第二栅极前体，以形成一第一栅极及第二栅极；/n去...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于：其包含：
提供一基板，其中所述基板包含一显示区及围绕所述显示区的一栅驱动电路区；
形成一多晶硅层于所述基板的栅驱动电路区上；
涂布一栅绝缘层于所述基板及所述多晶硅层上；
形成一第一金属层于所述栅绝缘层上；
形成一光阻图案于所述第一金属层上；
用所述光阻图案作为掩膜，蚀刻所述第一金属层，以形成在所述栅驱动电路区内的一第一栅极前体及在所述显示区内的一第二栅极前体；
用所述光阻图案作为掩膜进行离子重掺杂，使所述多晶硅层的两相对侧形成两离子重掺杂区；
用所述光阻图案作为掩膜，再蚀刻所述第一栅极前体及第二栅极前体，以形成一第一栅极及第二栅极；
去除所述光阻图案；以及
用所述第一栅极作为掩膜进行离子轻掺杂，使所述多晶硅层的两相对侧未被所述第一栅极覆盖且未形成离子重掺杂区的区域形成两离子轻掺杂区。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：其还包含：涂布一介电层于所述栅绝缘层、所述第一栅极及所述第二栅极上；
形成一氧化物层于所述介电层对应于所述第二栅极的区域上；
形成贯穿所述介电层及所述栅绝缘层的两第一通孔，其中所述两第一通孔使所述两离子重掺杂区部分露出；以及
形成两第一源漏极及两第二源漏极于所述介电层上，其中所述两第一源漏极分别经由所述两第一通孔电连接于所述两离子重掺杂区，且所述两第二源漏极直接电连接于所述氧化物层。


3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：在所述栅驱动电路区内含有两离子重掺杂区及两轻掺杂区的多晶硅层、栅绝缘层、第一栅极、介电层与两第一源漏极组成低温多晶硅薄膜晶体管；以及在所述显示区内的第二栅极、介电层、氧化物层与两第二源漏极组成氧化物薄膜晶体管。


4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：其还包含：涂布一介电层于所述栅绝缘层、所述第一栅极及所述第二栅极上；
形成一氧化物层于所述介电层对应于所述第二栅极的区域上；
形成一保护层于所述介电层及所述氧化物层上；
形成两第一通孔及两第二通孔，其中所述两第一通孔形成于所述栅驱动电路区内，贯穿所述保护层、所述介电层及所述栅绝缘层，使所述两离子重掺杂区部分露出，且所述两第二通孔形成于所述显示区内，贯穿所述保护层，使所述氧化物层的两相对侧露出；以及
形成两第一源漏极及两第二源漏极于所述保护层上，其中所述两第一源漏极分别通过所述两第一通孔电连接于所述两离子重掺杂区，且两第二源漏极分别通过两第二通孔与氧化物层电连接。

【专利技术属性】
技术研发人员：李治福，肖军城，艾飞，尹国恒，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42