阵列基板及显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板上的多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，多晶硅薄膜晶体管与金属氧化半导体薄膜晶体管间隔设置，多晶硅薄膜晶体管位于第一区域，用于控制金属氧化物薄膜晶体管，金属氧化物薄膜晶体管位于第二区域，用于驱动像素电极，多晶硅薄膜晶体管为顶栅结构，金属氧化物薄膜晶体管为底栅结构。本实用新型专利技术实施例提供的阵列基板及显示面板同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，分区域设计，工艺上兼容，有效地解决了多晶硅薄膜晶体管的技术瓶颈，使其能应用于大尺寸显示面板，同时能有效降低显示面板的功耗。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板
本技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)等平面显示装置因具有高清画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。液晶显示面板一般由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹持在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成。通过在阵列基板和彩膜基板之间施加驱动电压，可控制液晶分子旋转，从而使背光模组的光线折射出来产生画面。目前，平板显示器件向大尺寸、高集成度、高分辨率、高驱动频率方向发展，对迁移率的要求越来越高，因而基于LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)的面板技术成为主流。然而，上述现有技术提供的低温多晶硅薄膜晶体管虽然迁移率高，但是其关态电流大，用它驱动像素电极时，存在功耗高的问题。
技术实现思路
本技术提供一种阵列基板及显示面板，同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，能有效降低显示面板的功耗。本技术一方面提供一种阵列基板，包括衬底基板以及位于所述衬底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管间隔设置，所述第一薄膜晶体管位于第一区域，所述第二薄膜晶体管位于第二区域；所述第一薄膜晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的第一半导体层、栅极绝缘层、第一栅极、栅极保护层、第一保护层，第一源极和第一漏极设置在第一保护层上，所述栅极绝缘层、所述栅极保护层和所述第一保护层上具有多个第一过孔，所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述第一过孔与所述第一半导体层连通；所述第二薄膜晶体管包括依次设置在所述栅极绝缘层上的第二栅极、栅极保护层、第二半导体层、第一保护层，第二源极和第二漏极设置在第一保护层上，所述第一保护层上具有多个第二过孔，所述第二源极和所述第二漏极分别通过第二过孔与所述第二半导体层连通；所述第一半导体层为多晶硅半导体层，所述第二半导体层为金属氧化物半导体层。进一步地，还包括第二保护层和像素电极，所述第二保护层覆盖在所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极上，第二保护层上具有接触过孔，所述像素电极覆盖在所述第二保护层上并通过所述接触过孔与所述第二漏极连通。进一步地，还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底基板和所述第一半导体层之间，所述缓冲层包括上下两层，所述缓冲层的上层为氧化硅，所述缓冲层的下层为氮化硅。进一步地，所述氧化硅的厚度为所述氮化硅的厚度为进一步地，所述第一栅极和所述第二栅极由栅金属层在同一次光刻中形成。进一步地，所述栅金属层包括金属铜。进一步地，所述栅金属层还包括设置在金属铜下方的金属缓冲层，所述金属缓冲层包括金属钼或金属钛。进一步地，所述栅极保护层包括上下两层，其中，所述栅极保护层的上层为氧化硅，所述栅极保护层的下层为氮化硅或氮氧化硅。进一步地，所述第一保护层为氧化硅。本技术还提供一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。本技术实施例提供的阵列基板及显示面板，通过将阵列基板设计为双薄膜晶体管结构，利用多晶硅薄膜晶体管高迁移率的特点，使其控制金属氧化物薄膜晶体管，同时使用金属氧化物薄膜晶体管驱动像素电极，这样设计可以充分利用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管的优点，一方面可以满足周边区域集成度高，对迁移率要求高的需求，另一方面可以降低显示面板的功耗。进一步地，第一栅极和第二栅极采用双层结构，上层为Cu，下层为金属缓冲层，金属缓冲层一方面可以增加Cu与基板的附着力，另一方面可以阻止Cu离子扩散到栅极绝缘层中；顶栅结构的多晶硅薄膜晶体管和底栅结构的金属氧化物薄膜晶体管共用栅极绝缘层，栅极绝缘层分为上下两层，下层为氮化硅，可以有效阻止Cu离子的扩散，防止Cu离子扩散到上面的金属氧化物半导体层中，同时有效阻止第一栅极的Cu离子扩散与其上方的源漏极相连，防止多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物半导体晶体管失效；下层采用氧化硅，可以提升其与金属氧化物半导体层间的接触性能，从而提升金属氧化半导体薄膜晶体管的性能；充分利用了金属氧化物薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管的制备工艺的特点，在不增加工艺步骤的前提下，通过合理设计阵列基板的结构和工艺流程，提升了金属氧化物薄膜晶体管的性能和稳定性。附图说明为了更清楚地说明本技术或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的阵列基板的结构示意图；图2为本技术实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图；图3为本技术实施例提供的阵列基板完成步骤S101后的结构示意图；图4为本技术实施例提供的阵列基板完成步骤S102后的结构示意图；图5为本技术实施例提供的阵列基板完成步骤S103后的结构示意图；图6为本技术实施例提供的阵列基板完成步骤S104后的结构示意图；图7为本技术实施例提供的阵列基板完成步骤S105后的结构示意图；图8为本技术实施例提供的阵列基板完成步骤S106后的结构示意图。附图标记：11-第一区域；12-第二区域；13-衬底基板；14-缓冲层；15-第一半导体层；16-栅极绝缘层；171-第一栅极；172-第二栅极；18-栅极保护层；19-第二半导体层；20-第一保护层；211-第一源极；212-第一漏极；213-第二源极；214-第二漏极；22-第二保护层；23-像素电极；241-第一过孔；242-第二过孔；25-接触过孔。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术中的附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例一图1为本技术实施例提供的阵列基板的结构示意图，参考图1所示，本技术实施例提供的阵列基板为双薄膜晶体管结构，包括衬底基板13,以及位于衬底基板13上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为金属氧化物薄膜晶体管，两薄膜晶体管间隔设置。为了便于描述，图1中将阵列基板分为两个区域，左边虚线框为第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板以及位于所述衬底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管间隔设置，所述第一薄膜晶体管位于第一区域，所述第二薄膜晶体管位于第二区域；/n所述第一薄膜晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的第一半导体层、栅极绝缘层、第一栅极、栅极保护层、第一保护层，第一源极和第一漏极设置在第一保护层上，所述栅极绝缘层、所述栅极保护层和所述第一保护层上具有多个第一过孔，所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述第一过孔与所述第一半导体层连通；/n所述第二薄膜晶体管包括依次设置在所述栅极绝缘层上的第二栅极、栅极保护层、第二半导体层、第一保护层，第二源极和第二漏极设置在第一保护层上，所述第一保护层上具有多个第二过孔，所述第二源极和所述第二漏极分别通过所述第二过孔与所述第二半导体层连通；/n所述第一半导体层为多晶硅半导体层，所述第二半导体层为金属氧化物半导体层。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板以及位于所述衬底基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管间隔设置，所述第一薄膜晶体管位于第一区域，所述第二薄膜晶体管位于第二区域；
所述第一薄膜晶体管包括依次设置在所述衬底基板上的第一半导体层、栅极绝缘层、第一栅极、栅极保护层、第一保护层，第一源极和第一漏极设置在第一保护层上，所述栅极绝缘层、所述栅极保护层和所述第一保护层上具有多个第一过孔，所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述第一过孔与所述第一半导体层连通；
所述第二薄膜晶体管包括依次设置在所述栅极绝缘层上的第二栅极、栅极保护层、第二半导体层、第一保护层，第二源极和第二漏极设置在第一保护层上，所述第一保护层上具有多个第二过孔，所述第二源极和所述第二漏极分别通过所述第二过孔与所述第二半导体层连通；
所述第一半导体层为多晶硅半导体层，所述第二半导体层为金属氧化物半导体层。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括第二保护层和像素电极，所述第二保护层覆盖在所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极上，第二保护层上具有接触过孔，所述像素电极覆盖在所述第二保护层上并通过所述接触过孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51