一种显示基板及其制备方法技术

本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制备方法、显示面板


[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种显示基板及其制备方法
、
显示面板
。

技术介绍

[0002]显示基板中设置有薄膜晶体管和多条栅线
、
多条数据线，栅线和薄膜晶体管的栅电极位于同一个金属层，数据线和薄膜晶体管的源电极
、
漏电极位于同一个金属层，金属层表面覆盖绝缘层
。
在绝缘层成膜前，会采用具有氧化性的气体对显示基板进行前处理
。
氧化性气体会对金属层表面氧化，使金属层表面出现坑洞，导致刻蚀液
、
水汽残留在坑洞内腐蚀金属
。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法
、
显示面板，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题
。
[0004]作为本公开实施例的第一个方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括：
[0005]衬底基板；
[0006]金属导电层，位于衬底基板的一侧，金属导电层包括多个金属走线，金属走线包括远离衬底基板一侧的第一面；
[0007]保护层，位于金属导电层的远离衬底基板的一侧，保护层位于金属走线所在的位置，保护层在衬底基板上的正投影至少包括金属走线的第一面在衬底基板上的正投影；
[0008]第一绝缘层，位于保护层的远离衬底基板的一侧
。
[0009]在一些可能的实现方式中，金属走线还包括靠近衬底基板一侧的第二面，保护层在衬底基板上的正投影包括金属走线的第二面在衬底基板上的正投影
。
[0010]在一些可能的实现方式中，金属走线包括薄膜晶体管的栅电极和栅线中的至少一个，或者，金属走线包括薄膜晶体管的源电极
、
漏电极和数据线中的至少一个
。
[0011]在一些可能的实现方式中，金属走线包括薄膜晶体管的源电极和漏电极，显示基板还包括薄膜晶体管的有源层，有源层位于衬底基板和金属导电层之间，有源层的材质包括金属氧化物
。
[0012]在一些可能的实现方式中，显示基板还包括有源材料层，有源材料层位于衬底基板和金属导电层之间，有源材料层包括位于薄膜晶体管的沟道区的第一部分以及位于沟道区之外的第二部分，第二部分在衬底基板上的正投影与多个金属走线在衬底基板上的正投影重叠，第一部分在衬底基板上的正投影位于多个金属走线在衬底基板上的正投影之外，有源层包括位于源电极位置
、
漏电极位置和第一部分
。
[0013]在一些可能的实现方式中，保护层在衬底基板上的正投影与金属走线的第一面在衬底基板上的正投影重叠
。
[0014]作为本公开实施例的第二个方面，本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：
[0015]在衬底基板的一侧形成金属导电层和保护层，保护层位于金属导电层的远离衬底基板的一侧，金属导电层包括多个金属走线，金属走线包括远离衬底基板一侧的第一面，保护层位于金属走线所在的位置，保护层在衬底基板上的正投影至少包括金属走线的第一面在衬底基板上的正投影；
[0016]在保护层的远离衬底基板的一侧形成第一绝缘层
。
[0017]在一些可能的实现方式中，采用同一个掩膜在衬底基板的一侧形成金属导电层和保护层
。
[0018]在一些可能的实现方式中，采用同一个掩膜在衬底基板的一侧形成金属导电层和保护层，包括：
[0019]采用第一图案化工艺在衬底基板的一侧形成金属导电层，金属走线还包括靠近衬底基板一侧的第二面，在第一图案化工艺中采用第一掩膜进行曝光；
[0020]采用第二图案化工艺在金属导电层的远离衬底基板的一侧形成保护层，保护层位于金属走线所在的位置，保护层在衬底基板上的正投影包括金属走线的第二面在衬底基板上的正投影，在第二图案化工艺中采用第一掩膜进行曝光
。
[0021]在一些可能的实现方式中，采用第一图案化工艺在衬底基板的一侧形成金属导电层，包括：
[0022]在衬底基板的一侧依次沉积有源材料薄膜和金属导电薄膜；
[0023]采用第一图案化工艺对有源材料薄膜和金属导电薄膜进行处理，形成有源材料层和金属导电层，金属走线包括薄膜晶体管的源电极和漏电极以及数据线，有源材料层包括位于薄膜晶体管的沟道区的第一部分以及位于沟道区之外的第二部分，第二部分在衬底基板上的正投影与多个金属走线在衬底基板上的正投影重叠，第一部分在衬底基板上的正投影位于多个金属走线在衬底基板上的正投影之外，其中，第一掩膜为半色调掩膜，第一掩膜的与沟道区所对应的部分为半色调
。
[0024]在一些可能的实现方式中，采用第二图案化工艺在金属导电层的远离衬底基板的一侧形成保护层，包括：
[0025]在金属导电层的背离衬底基板的一侧沉积保护薄膜；
[0026]在保护薄膜的背离衬底基板的一侧涂覆光刻胶；
[0027]采用第一掩膜对光刻胶进行曝光并显影，金属走线位置保留有第一厚度的光刻胶，沟道区位置保留有第二厚度的光刻胶，其余位置的光刻胶被去除，第二厚度小于第一厚度；
[0028]对保留的光刻胶进行灰化处理，去除沟道区位置的光刻胶，金属走线位置保留有第三厚度的光刻胶，第三厚度小于第一厚度；
[0029]对暴露的保护薄膜进行刻蚀，形成保护层
。
[0030]在一些可能的实现方式中，金属走线包括薄膜晶体管的源电极和漏电极以及数据线，采用同一个掩膜在衬底基板的一侧形成金属导电层和保护层，包括：
[0031]在衬底基板的一侧依次沉积有源材料薄膜
、
金属导电薄膜和保护薄膜；
[0032]在保护薄膜的背离衬底基板的一侧涂覆光刻胶；
[0033]采用第二掩膜对光刻胶进行曝光并显影，金属走线位置保留有第四厚度的光刻胶，薄膜晶体管的沟道区位置保留有第五厚度的光刻胶，其余位置的光刻胶被去除，第五厚
度小于第四厚度，其中，第二掩膜为半色调掩膜，第二掩膜的与沟道区所对应的部分为半色调；
[0034]采用第一刻蚀工艺对暴露出保护薄膜的位置进行刻蚀，去除暴露位置的保护薄膜
、
金属导电薄膜和有源材料薄膜，形成有源材料层；
[0035]对保留的光刻胶进行灰化处理，去除沟道区位置的光刻胶，金属走线位置保留有第六厚度的光刻胶，第六厚度小于第四厚度；
[0036]采用第二刻蚀工艺对沟道区位置的保护薄膜和金属导电薄膜进行刻蚀，形成保护层和金属导电层
。
[0037]在一些可能的实现方式中，在保护层的远离衬底基板的一侧形成第一绝缘层之前，方法还包括：
[0038]采用包含有氧化性气体的前处理气体对显示基板进行处理
。
[0039]作为本公开实施例的第三方面，本公开实施例提供一种显示面板，包括本公开任一实施例中的显示基板
。
[0040]本公本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板；金属导电层，位于所述衬底基板的一侧，所述金属导电层包括多个金属走线，所述金属走线包括远离所述衬底基板一侧的第一面；保护层，位于所述金属导电层的远离所述衬底基板的一侧，所述保护层位于所述金属走线所在的位置，所述保护层在所述衬底基板上的正投影至少包括所述金属走线的第一面在所述衬底基板上的正投影；第一绝缘层，位于所述保护层的远离所述衬底基板的一侧
。2.
根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述金属走线还包括靠近所述衬底基板一侧的第二面，所述保护层在所述衬底基板上的正投影包括所述金属走线的第二面在所述衬底基板上的正投影
。3.
根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述金属走线包括薄膜晶体管的栅电极和栅线中的至少一个，或者，所述金属走线包括薄膜晶体管的源电极
、
漏电极和数据线中的至少一个
。4.
根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述金属走线包括薄膜晶体管的源电极和漏电极，所述显示基板还包括所述薄膜晶体管的有源层，所述有源层位于所述衬底基板和所述金属导电层之间，所述有源层的材质包括金属氧化物
。5.
根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括有源材料层，所述有源材料层位于所述衬底基板和所述金属导电层之间，所述有源材料层包括位于所述薄膜晶体管的沟道区的第一部分以及位于所述沟道区之外的第二部分，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影与多个所述金属走线在所述衬底基板上的正投影重叠，所述第一部分在所述衬底基板上的正投影位于多个所述金属走线在所述衬底基板上的正投影之外，所述有源层包括位于所述源电极位置
、
所述漏电极位置和所述第一部分
。6.
根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述保护层在所述衬底基板上的正投影与所述金属走线的第一面在所述衬底基板上的正投影重叠
。7.
一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板的一侧形成金属导电层和保护层，所述保护层位于所述金属导电层的远离所述衬底基板的一侧，所述金属导电层包括多个金属走线，所述金属走线包括远离所述衬底基板一侧的第一面，所述保护层位于所述金属走线所在的位置，所述保护层在所述衬底基板上的正投影至少包括所述金属走线的第一面在所述衬底基板上的正投影；在所述保护层的远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层
。8.
根据权利要求7所述的方法，其特征在于，采用同一个掩膜在所述衬底基板的一侧形成所述金属导电层和所述保护层
。9.
根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，采用同一个掩膜在所述衬底基板的一侧形成所述金属导电层和所述保护层，包括：采用第一图案化工艺在所述衬底基板的一侧形成所述金属导电层，所述金属走线还包括靠近所述衬底基板一侧的第二面，在所述第一图案化工艺中采用第一掩膜进行曝光；采用第二图案化工艺在所述金属导电层的远离所述衬底基板的一侧形成所述保护层，所述保护层位于所述金属走线所在的位置，所述保护层在所述衬底基板上的正投影包括所
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王尖，宋子科，李梁梁，荣孟欣，唐辉，
申请(专利权)人：成都中电熊猫显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：