一种显示面板制造技术

本申请公开一种显示面板

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板、制备方法及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种显示面板
、
制备方法及显示装置
。

技术介绍

[0002]目前，在显示
，氧化物半导体作为薄膜晶体管的有源层材料，稳定性较高，因此在一些产品中取代了非晶硅半导体，尤其在高分辨率
、
高刷新率以及大尺寸等领域取得较大范围的应用
。
[0003]然而，现有的氧化物半导体材料的电子迁移率较低，难以应用于高分辨率的小尺寸产品中
。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种显示面板
、
制备方法及显示装置，能够提高氧化物半导体的电子迁移率，以使氧化物半导体的薄膜晶体管适用于高分辨率的小尺寸产品
。
[0005]本申请实施例的第一方面，提供一种显示面板，包括：
[0006]氧化物半导体层；
[0007]诱导层，设置于沟道区域对应的所述氧化物半导体层的表面，所述诱导层用于诱导所述氧化物半导体层与所述诱导层的接触界面结晶化
。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种显示面板，其特征在于，包括：氧化物半导体层；诱导层，设置于沟道区域对应的所述氧化物半导体层的表面，所述诱导层用于诱导所述氧化物半导体层与所述诱导层的接触界面结晶化
。2.
根据权利要求1所述显示面板，其特征在于，还包括：衬底层；栅极，设置于所述衬底层与所述氧化物半导体层之间，和
/
或，所述氧化物半导体层设置于所述衬底层与所述栅极之间
。3.
根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在所述氧化物半导体层设置于所述衬底层与所述栅极之间的情况下，所述栅极在所述衬底层上的正投影落入所述诱导层在所述衬底层上的正投影
。4.
根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在所述栅极设置于所述衬底层与所述氧化物半导体层之间的情况下，所述诱导层在所述衬底层上的正投影落入所述栅极在所述衬底层上的正投影，和
/
或，所述氧化物半导体层在所述衬底层上的正投影落入所述栅极在所述衬底层上的正投影
。5.
根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述诱导层在所述衬底层上的正投影与所述栅极在所述衬底层上的正投影的单边尺寸差值范围为
‑
0.2
μ
m
至
0.8
μ
m。6.
根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：源极，覆盖于所述氧化物半导体层一端的边缘；漏极，覆盖于所述氧化物半导体层另一端的边缘；刻蚀阻挡层，设置于所述源极和所述氧化物半导体层之间，以及设置于所述漏极与所述氧化物半导体层之间，所述刻蚀阻挡层包括第一通孔和第二通孔，所述源极通过所述第一通孔与所述氧化物半导体层电连接，所述漏极通过所述第二通孔与所述氧化物半导体层电连接
。7.
根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层包括氧化硅和
/
或氮化硅
。8.
根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述栅极包括第一栅极和第二栅极；所述第一栅极设置于所述衬底层与所述氧化物半导体层之间，所述氧化物半导体层设置于所述衬底层与所述第二栅极之间；所述第二栅极在所述衬底层上的正投影落入所述诱导层在所述衬底层上的正投影
。9.
根据权利要求2‑8中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述诱导层包括第一诱导层和第二诱导层；所述第一诱导层设置于所述氧化物半导体层远离所述衬底层一侧的表面，所述第二诱导层设置于所述氧化物半导体层靠近所述衬底层一侧的表面
。10.
根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述诱导层在所述氧化物半导体层的表面具有镂空区域
。11.
根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，在所述氧化物半导体层的所述沟道区域形成的电流方向上，所述诱导层在所述氧化物半导体层的表面呈条状设置
。12.

【专利技术属性】
技术研发人员：周天民，刘凤娟，胡合合，刘威，卢昱行，王浩然，黄杰，王利忠，宁策，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：