阵列基板制造技术

本申请提供了一种阵列基板

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板和显示装置


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基板
、
显示面板和显示装置
。

技术介绍

[0002]在显示面板中，晶体管是不可或缺的元件，用于实现显示面板的显示
、
触控等功能
。
晶体管包括半导体层，半导体层中含有氢原子，氢原子会影响晶体管的稳定性
。
因此，在显示面板的制备过程中，通常会对半导体层进行去氢处理
。
[0003]然而，在相关技术的显示面板中，晶体管内半导体层的去氢效果较差，导致晶体管的稳定性差，进而影响了显示效果
。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，提出了本申请
。
本申请实施例提供了一种阵列基板
、
显示面板和显示装置
。
[0005]第一方面，本申请一实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：衬底，衬底上沿阵列基板的厚度方向至少依次叠置有半导体层
、
栅绝缘层
、
层间绝缘层；其中，半导体层包括第一有源区段和第一导电区段，层间绝缘层设置有第一去氢孔，第一去氢孔沿阵列基板的厚度方向贯穿栅绝缘层和层间绝缘层；以及第一去氢孔在衬底上的正投影位于第一导电区段在衬底上的正投影范围内，第一去氢孔在衬底上的正投影的边缘与第一有源区段在衬底上的正投影的边缘之间的最短距离为8至
12
微米
。
[0006]结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，该阵列基板还包括：第一金属层，叠置于层间绝缘层的背离衬底的一侧，第一金属层填充并覆盖第一去氢孔
。
[0007]结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，层间绝缘层还设置有第二去氢孔，第二去氢孔在衬底上的正投影位于第一有源区段在衬底上的正投影范围内，第一金属层还填充并覆盖第二去氢孔；
[0008]优选的，第一金属层包括连接区段，连接区段连接第一去氢孔与第二去氢孔；
[0009]优选的，阵列基板还包括：第二金属层，叠置于层间绝缘层和栅绝缘层之间，第二金属层包括扫描信号线，第一去氢孔位于扫描信号线在衬底上的正投影与第一有源区段之间
。
[0010]结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，该阵列基板还包括：第三金属层，叠置于第二金属层和层间绝缘层之间；电容绝缘层，叠置于第二金属层和第三金属层之间；其中，第一去氢孔贯穿栅绝缘层
、
电容绝缘层和层间绝缘层
。
[0011]结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，半导体层还包括第二有源区段和第二导电区段，第一导电区段和第二导电区段分别与第二有源区段邻接，且位于第二有源区段的两端，层间绝缘层还设置有第三去氢孔，第三去氢孔贯穿栅绝缘层和层间绝缘层，第三去氢孔在衬底上的正投影位于第二导电区段在衬底上的正投影范围内；
[0012]优选的，第三去氢孔在衬底上的正投影的边缘与第一有源区段在衬底上的正投影
的边缘之间的最短距离大于
14
微米
。
[0013]结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，半导体层还包括虚拟区段，虚拟区段和第一有源区段
、
第一导电区段均不连接，层间绝缘层还设置有虚拟去氢孔，虚拟去氢孔在衬底上的正投影位于虚拟区段在衬底上的正投影范围内；
[0014]优选的，虚拟去氢孔在衬底上的正投影的边缘与第一有源区段在衬底上的正投影的边缘之间的最短距离为4至6微米；
[0015]优选的，虚拟去氢孔在衬底上的正投影的边缘与第一有源区段在衬底上的正投影的边缘之间的最短距离为7至9微米；
[0016]优选的，虚拟去氢孔在衬底上的正投影的边缘与第一有源区段在衬底上的正投影的边缘之间的最短距离为
14
至
16
微米
。
[0017]第二方面，本申请一实施例提供了另一种阵列基板，该阵列基板包括：衬底，衬底上沿阵列基板的厚度方向至少依次叠置有半导体层
、
栅绝缘层
、
层间绝缘层；其中，半导体层包括第一有源区段和虚拟区段，第一有源区段和虚拟区段不连接，层间绝缘层设置有虚拟去氢孔，虚拟去氢孔沿阵列基板的厚度方向贯穿栅绝缘层和层间绝缘层；以及虚拟去氢孔在衬底上的正投影位于虚拟区段在衬底上的正投影范围内
。
[0018]结合第二方面，在第二方面的某些实现方式中，半导体层还包括第一导电区段，第一导电区段和虚拟区段不连接，层间绝缘层还设置有第一去氢孔，第一去氢孔在衬底上的正投影位于第一导电区段在衬底上的正投影范围内，第一去氢孔在衬底上的正投影的边缘与第一有源区段在衬底上的正投影的边缘之间的最短距离为8至
12
微米；
[0019]优选的，虚拟去氢孔在衬底上的正投影的边缘与第一有源区段在衬底上的正投影的边缘之间的最短距离为4至6微米；
[0020]优选的，虚拟去氢孔在衬底上的正投影的边缘与第一有源区段在衬底上的正投影的边缘之间的最短距离为7至9微米；
[0021]优选的，虚拟去氢孔在衬底上的正投影的边缘与第一有源区段在衬底上的正投影的边缘之间的最短距离为
14
至
16
微米
。
[0022]第三方面，本申请一实施例提供了一种显示面板，包括如上述任一实施例提及的阵列基板；
[0023]优选的，显示面板的分辨率小于或等于
200
像素每英寸
。
[0024]第四方面，本申请一实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括如上述任一实施例提及的显示面板
。
[0025]本申请实施例提供的阵列基板包括：衬底，衬底上沿阵列基板的厚度方向至少依次叠置有半导体层
、
栅绝缘层
、
层间绝缘层；其中，半导体层包括第一有源区段和第一导电区段，层间绝缘层设置有第一去氢孔，第一去氢孔沿阵列基板的厚度方向贯穿栅绝缘层和层间绝缘层；以及第一去氢孔在衬底上的正投影位于第一导电区段在衬底上的正投影范围内，第一去氢孔在衬底上的正投影的边缘与第一有源区段在衬底上的正投影的边缘之间的最短距离为8至
12
微米，从而减小了第一去氢孔与第一有源区段之间的距离，使得第一有源区段的氢原子更容易到达第一去氢孔，并通过第一去氢孔消散，从而提高了去氢过程的均匀性，改善了显示效果
。
附图说明
[0026]通过结合附图对本申请实施例进行更详细的描述，本申请的上述以及其他目的
、
特征和优势将变得更加明显
。
附图用来提供对本申请实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请实施例一起用于解释本申请，并不构成对本申请的限制
。
在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤
。
[0027]图1所示为本申请一实施例提供的两个金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上沿阵列基板的厚度方向至少依次叠置有半导体层
、
栅绝缘层
、
层间绝缘层；其中，所述半导体层包括第一有源区段和第一导电区段，所述层间绝缘层设置有第一去氢孔，所述第一去氢孔沿所述阵列基板的厚度方向贯穿所述栅绝缘层和所述层间绝缘层；以及所述第一去氢孔在所述衬底上的正投影位于所述第一导电区段在所述衬底上的正投影范围内，所述第一去氢孔在所述衬底上的正投影的边缘与所述第一有源区段在所述衬底上的正投影的边缘之间的最短距离为8至
12
微米
。2.
根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：第一金属层，叠置于所述层间绝缘层的背离所述衬底的一侧，所述第一金属层填充并覆盖所述第一去氢孔
。3.
根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘层还设置有第二去氢孔，所述第二去氢孔在所述衬底上的正投影位于所述第一有源区段在所述衬底上的正投影范围内，所述第一金属层还填充并覆盖所述第二去氢孔；优选的，所述第一金属层包括连接区段，所述连接区段连接所述第一去氢孔与所述第二去氢孔；优选的，所述阵列基板还包括：第二金属层，叠置于所述层间绝缘层和所述栅绝缘层之间，所述第二金属层包括扫描信号线，所述第一去氢孔位于所述扫描信号线在所述衬底上的正投影与所述第一有源区段之间
。4.
根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：第三金属层，叠置于所述第二金属层和所述层间绝缘层之间；电容绝缘层，叠置于所述第二金属层和所述第三金属层之间；其中，所述第一去氢孔贯穿所述栅绝缘层
、
所述电容绝缘层和所述层间绝缘层
。5.
根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层还包括第二有源区段和第二导电区段，所述第一导电区段和所述第二导电区段分别与所述第二有源区段邻接，且位于所述第二有源区段的两端，所述层间绝缘层还设置有第三去氢孔，所述第三去氢孔贯穿所述栅绝缘层和所述层间绝缘层，所述第三去氢孔在所述衬底上的正投影位于所述第二导电区段在所述衬底上的正投影范围内；优选的，所述第三去氢孔在所述衬底上的正投影的边缘与所述第一有源区段在所述衬底上的正投影的边缘之间的最短距离...

【专利技术属性】
技术研发人员：金玉，周至奕，范文志，王青青，徐伟齐，孙寅，
申请(专利权)人：合肥维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：