一种制造技术

一种

【技术实现步骤摘要】
一种6 Mask TIC架构显示面板的制造方法


[0001]本专利技术属于显示面板的
，具体是指一种
6 Mask TIC
架构显示面板的制造方法
。

技术介绍

[0002]现有已开发并应用于显示面板的阵列基板制造工艺，通常由多层金属层，无机非金属层以及透明电极层组合而成，不同膜层的堆叠顺序变化以及讯号走线设计多样化，会衍生出多种不同架构设计的驱动显示面板
。
例如需要
10
道
Mask
制程
follow Mid
‑
com TIC
显示驱动面板，9道
Mask
制程
follow Top
‑
com TIC
显示驱动面板以及8道
Mask
制程
follow Top
‑
com TIC
显示驱动面板
(
如图1所示
)
等等，不同的显示面板其对应的显示功能及产品规格会有所不同
。
[0003]显而易见的是，由于市场竞争越发激烈以及各面板制程工艺的稳定，高良率表现，如何在可满足客户规格要求情况下，提高产品竞争力及降低生产成本，提高产品效益显得尤为重要
。
并且现有的
IGZO
凭借其与
a
‑
Si
产线共通的制备工艺，材料本身的高电子迁移率，高开关比特点，在降本增效方面有着先天的优势，在当下显示面板严峻的竞争环境下，如何优化工艺及降低成本情况下，并保证高良率逐步成为产品开发的主要目标
。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种
6 Mask TIC
架构显示面板的制造方法，使
8Mask
阵列基板减少至
6 Mask
，降低成本
。
[0005]本专利技术是这样实现的：
[0006]一种
6 Mask TIC
架构显示面板的制造方法，包括如下步骤：
[0007]第一步：采用
PVD
方式在玻璃基板上沉积并图案化形成第一金属层，为栅极金属层；
[0008]第二步：采用
CVD
方式沉积一层第一绝缘层，为栅极绝缘层；
[0009]第三步：采用
PVD
方式沉积一层有源层，并进行图案化；
[0010]第四步：采用
PVD
方式沉积并图案化形成第二金属层，源漏极金属层和触控金属层，此处触控金属层与源漏极金属层为同层金属；
[0011]第五步：采用
CVD
方式沉积一层第二绝缘层，为钝化绝缘层；
[0012]第六步：采用
PVD
方式沉积第一透明电极层，并进行图案化，此第一透明电极层作为像素电极；
[0013]第七步：采用
CVD
方式沉积一层第三绝缘层，该第三绝缘层在面内作为像素电容；
[0014]第八步：对第三绝缘层进行开孔，为第一过孔
、
第二过孔
、
第三过孔
、
第四过孔
、
第五过孔；
[0015]第一过孔
、
第二过孔：使公共电极桥接像素电极与源极金属层；
[0016]第三过孔：使公共电极与触控金属层相连接；
[0017]第四过孔
、
第五过孔：使公共电极桥接栅极金属层与源漏极金属层；
[0018]第九步：采用
PVD
方式沉积第二透明电极层，并进行图案化，此第二透明电极层作为公共电极
。
[0019]进一步地，所述栅极金属层，选用
Mo/Al/Mo。
[0020]进一步地，所述栅极绝缘层，选用
SiOx。
[0021]进一步地，所述有源层，选
IGZO。
[0022]进一步地，所述源漏极金属层和所述触控金属层，选用
Mo/Al/Mo。
[0023]进一步地，所述钝化绝缘层，选用
SiOx。
[0024]进一步地，所述第一透明电极层和所述第二透明电极层，均选用
ITO。
[0025]本专利技术的优点在于：本专利技术在基于8道
Mask
制程
followTop
‑
comTIC
显示驱动设计原理情况下，通过工艺优化，
8Mask
阵列基板减少至
6Mask
，共用第三绝缘层光罩的开孔，并用公共电极桥接像素电极与源极金属层方式省去第二绝缘层的光罩，公共电极桥接栅极金属层与源漏极金属层省去第一绝缘层的光罩
。
生产上减少两道
Mask
及对应的制程，以达到降低生产成本，提高生产效益的目的
。
附图说明
[0026]下面参照附图结合实施例对本专利技术作进一步的描述
。
[0027]图1是现有技术的阵列基板结构示意图
。
[0028]图2是本专利技术的第一步结构示意图
。
[0029]图3是本专利技术的第二步结构示意图
。
[0030]图4是本专利技术的第三步结构示意图
。
[0031]图5是本专利技术的第四步结构示意图
。
[0032]图6是本专利技术的第五步结构示意图
。
[0033]图7是本专利技术的第六步结构示意图
。
[0034]图8是本专利技术的第七步结构示意图
。
[0035]图9是本专利技术的第八步结构示意图
。
[0036]图
10
是本专利技术的第九步结构示意图
。
[0037]附图标记：
[0038]1‑
玻璃基板，2‑
栅极金属层，3‑
第一绝缘层，
A1
‑
第一过孔，
A2
‑
第二过孔
、A3
‑
第三过孔
、A4
‑
第四过孔
、A5
‑
第五过孔，4‑
有源层，5‑
源漏极金属层，6‑
第二绝缘层，7‑
第一透明电极层，8‑
第三绝缘层，9‑
第二透明电极层，
10
‑
触控金属层
。
具体实施方式
[0039]如图2至图
10
所示，本专利技术提供了一种
6MaskTIC
架构显示面板的制造方法，具体包括如下步骤：
[0040]第一步：采用
PVD
方式在玻璃基板
‑1上沉积并图案化形成第一金属层，为栅极金属层
‑2，该金属层可选用
Mo/Al/Mo
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
6Mask TIC
架构显示面板的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步：采用
PVD
方式在玻璃基板上沉积并图案化形成第一金属层，为栅极金属层；第二步：采用
CVD
方式沉积一层第一绝缘层，为栅极绝缘层；第三步：采用
PVD
方式沉积一层有源层，并进行图案化；第四步：采用
PVD
方式沉积并图案化形成第二金属层，源漏极金属层和触控金属层，此处触控金属层与源漏极金属层为同层金属；第五步：采用
CVD
方式沉积一层第二绝缘层，为钝化绝缘层；第六步：采用
PVD
方式沉积第一透明电极层，并进行图案化，此第一透明电极层作为像素电极；第七步：采用
CVD
方式沉积一层第三绝缘层，该第三绝缘层在面内作为像素电容；第八步：对第三绝缘层进行开孔，为第一过孔
、
第二过孔
、
第三过孔
、
第四过孔
、
第五过孔；第一过孔
、
第二过孔：使公共电极桥接像素电极与源极金属层；第三过孔：使公共电极与触控金属层相连接；第四过孔
、
第五过孔：使公共电极桥接栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，金剑辉，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：