TFT制造技术

TFT

【技术实现步骤摘要】
TFT像素电路基板的制备方法、有源驱动的Micro LED可拼接单元基板的制备方法


[0001]本专利技术涉及显示面板

。

技术介绍

[0002]Micro LED
显示是一种基于第三代半导体材料的新型显示技术，与现有的
LCD、OLED
显示相比，具有高亮度
、
高清晰度
、
高对比度
、
精细画质
、
更广色域和更高可靠性的优势
。
但是多个小尺寸
Micro LED
显示基板的拼接处存在较大的拼接缝隙，拼缝处的显示效果与非拼接处的显示效果存在一定的差异，影响整体观看的显示效果
。
[0003]目前有源驱动的
Micro LED
拼接单元基板无缝拼接方式主要有边缘走线工艺和玻璃基板边缘打通孔工艺
。
边缘走线工艺存在制程复杂
、
成本高
、
良率低和后期维修困难等问题
。
玻璃边缘打通孔方式一般有激光打孔和化学腐蚀两种方式，一般玻璃基板先打孔的话，在
TFT
像素电路复杂的制程工艺中基板碎片的风险会增加，同时在流片制作中真空机台吸附存在困难
。
如果先制作
TFT
像素电路再打孔的话，不论是激光打孔还是化学腐蚀方式对
TFT
像素电路会造成一定的不良，影响像素电路的电气性能
。
[0004]现有
2022
年
12
月
02
日公开的专利文献：
CN115424542A
，公开了无缝拼接
Micro
‑
LED
显示面板与其制备方法，该方法是通过导电通孔实现将正面的电气线路引渡到背面，进而实现了无缝拼接
。
但是该方法是先进行激光打孔，再进行
TFT
像素电路制程，在实际的生产过程中，经过激光打孔的玻璃基板在复杂
TFT
制程流片中，会发生边缘裂片，导致碎片的风险明显增加，并且在很多制程工艺中机台为真空吸附平台的，需要定制孔位，避开玻璃基板打孔区域，这样会增加生产流水线设备购置成本
。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决现有
Micro LED
显示屏的制备方法存在基板碎片风险高和生产成本高的问题
。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
[0007]本专利技术提供
TFT
像素电路基板的制备方法，所述制备方法为：
[0008]S1、
在玻璃基板的背面制作出通孔和连接电路，并在通孔的四周制作背面孔环，获得具有背面孔环的玻璃基板；
[0009]S2、
在所述具有背面孔环的玻璃基板的背面上涂布光刻胶掩膜，获得背面涂布光刻胶掩膜的玻璃基板；
[0010]S3、
在所述背面涂布光刻胶掩膜的玻璃基板的正面上制作通孔四周的正面孔环，且正面孔环与背面环孔在一条线上，获得具有完整孔环的玻璃基板；
[0011]S4、
在所述具有完整孔环的玻璃基板的正面上制作出
TFT
像素电路和与孔环联通的连接电路，获得具有电路的玻璃基板；
[0012]S5、
在所述具有电路的玻璃基板的正面上涂布光刻胶掩膜，获得完整涂布光刻胶
掩膜的玻璃基板；
[0013]S6、
采用化学腐蚀法在对所述完整涂布光刻胶掩膜的玻璃基板上的通孔进行腐蚀，获得腐蚀后的玻璃基板；
[0014]S7、
在所述腐蚀后的玻璃基板的通孔内壁制作金属层，并通过所述金属层导通正面孔环和背面孔环，获得导通孔环的玻璃基板；
[0015]S8、
剥离所述导通孔环的玻璃基板上的光刻胶掩膜层，获得具有导电通孔的
TFT
像素电路基板
。
[0016]进一步，还有一种优选实施例，上述步骤
S1
中的孔环为导电金属，所述孔环的环宽度为1‑
10
微米，所述孔环的环厚度为
300
‑
1000
纳米
。
[0017]进一步，还有一种优选实施例，上述步骤
S2
具体为：
[0018]在所述具有背面孔环的玻璃基板的背面上涂布光刻胶掩膜，曝光和显影后漏出需要打孔处的玻璃，并进行温度烘烤，获得背面涂布光刻胶掩膜的玻璃基板
。
[0019]进一步，还有一种优选实施例，上述温度为
80
‑
135
摄氏度
。
[0020]进一步，还有一种优选实施例，上述步骤
S5
具体为：
[0021]在所述具有电路的玻璃基板的正面上涂布光刻胶掩膜，曝光和显影后漏出需要打孔处的玻璃，并进行温度烘烤，获得完整涂布光刻胶掩膜的玻璃基板
。
[0022]进一步，还有一种优选实施例，上述步骤
S7
中的金属层的制备方法为电化学方法
。
[0023]进一步，还有一种优选实施例，上述步骤
S8
具体为：
[0024]分别将所述导通孔环的玻璃基板的正面和反面进行二次曝光
、
显影，获得具有导电通孔的
TFT
像素电路基板
。
[0025]本专利技术还提供有源驱动的
Micro LED
可拼接单元基板的制备方法，所述方法是基于
TFT
像素电路基板实现的，所述
TFT
像素电路基板是采用上述任意一项所述的
TFT
像素电路基板的制备方法获得的，所述方法为：
[0026]A1、
在所述具有导电通孔的
TFT
像素电路基板的正面上焊接
Micro LED
发光芯片；
[0027]A2、
在焊接完
Micro LED
发光芯片的玻璃基板的最上层制作保护层，获得
Micro LED
显示基板
。
[0028]A3、
在所述
MicroLED
显示基板的背面上压接
FPC
，获得有源驱动的
Micro LED
可拼接单元基板
。
[0029]进一步，还有一种优选实施例，上述步骤
A2
中保护层的制备方法为：采用环氧树脂热压固化
。
[0030]进一步，还有一种优选实施例，上述步骤
A2
中保护层的膜层厚度为
0.2
‑
0.5
毫米
。
[0031]本专利技术的有益效果为：
[0032]1、
现有无缝拼接
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.TFT
像素电路基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法为：
S1、
在玻璃基板
(2)
的背面制作出通孔
(1)
和连接电路，并在通孔
(1)
的四周制作背面孔环，获得具有背面孔环的玻璃基板；
S2、
在所述具有背面孔环的玻璃基板的背面上涂布光刻胶掩膜，获得背面涂布光刻胶掩膜的玻璃基板；
S3、
在所述背面涂布光刻胶掩膜的玻璃基板的正面上制作通孔
(1)
四周的正面孔环，且正面孔环与背面环孔在一条线上，获得具有完整孔环的玻璃基板；
S4、
在所述具有完整孔环的玻璃基板的正面上制作出
TFT
像素电路和与孔环联通的连接电路，获得具有电路的玻璃基板；
S5、
在所述具有电路的玻璃基板的正面上涂布光刻胶掩膜，获得完整涂布光刻胶掩膜的玻璃基板；
S6、
采用化学腐蚀法在对所述完整涂布光刻胶掩膜的玻璃基板上的通孔进行腐蚀，获得腐蚀后的玻璃基板；
S7、
在所述腐蚀后的玻璃基板的通孔
(1)
内壁制作金属层，并通过所述金属层导通正面孔环和背面孔环，获得导通孔环的玻璃基板；
S8、
剥离所述导通孔环的玻璃基板上的光刻胶掩膜层，获得具有导电通孔的
TFT
像素电路基板
。2.
根据权利要求1所述的
TFT
像素电路基板的制备方法，其特征在于，所述步骤
S1
中的孔环为导电金属，所述孔环的环宽度为1‑
10
微米，所述孔环的环厚度为
300
‑
1000
纳米
。3.
根据权利要求1所述的
TFT
像素电路基板的制备方法，其特征在于，所述步骤
S2
具体为：在所述具有背面孔环的玻璃基板的背面上涂布光刻胶掩膜，曝光和显影后漏出需要打孔处的玻璃，并进行温度烘烤，获得背面涂布光刻胶掩膜的玻璃基板
。4.
根据权利要求3所述的
TFT
像素电路基板的制备方法，其特征在于，所述温度为
80
‑
135
摄氏度
。5.
根据权利要求1所述的
TFT

【专利技术属性】
技术研发人员：郑喜凤，段健楠，王娟，马新峰，韩悦，王达，
申请(专利权)人：长春希龙显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：