一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法，该阵列基板包括玻璃基板、底栅、第一栅极绝缘层、半导体层、第二栅极绝缘层、顶栅和驱动电路走线、第一中间绝缘层、第一透明导电层、第二中间绝缘层、第二透明导电层及第三金属层；半导体层的第一半导体单元的两端分别设置有导体层，第二半导体单元与底栅相对应；顶栅位于第一半导体单元上方；第三金属层的第一源极和第一漏极通过第一通孔与对应导体层相连，其第二源极和第二漏极通过第二通孔与第二半导体单元相连，其金属单元一通过第三通孔与驱动电路走线相连。本发明专利技术可以改善现有结构中寄生电容较大的问题，且还具有成本低结构简单、薄膜利用率高的优势。

【技术实现步骤摘要】

【】本专利技术涉及液晶显示器，具体涉及一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法。

技术介绍

0、
技术介绍

1、在液晶显示领域中，ffs(fringe field switching)技术是一种通过tft基板上的顶层条状像素电极和底层面状com电极(bottom com)或者顶层com像素电极和底层面状像素电极(bop com)之间产生的边缘电场，使电极之间及电极正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上发生转动的液晶显示技术。采用ffs像素结构下的液晶面板具有高透过率、高可视角、高对比度、高色域等特点，是目前高端液晶显示面板的主要像素结构类型。

2、利用金属氧化物半导体材料制备的薄膜晶体管(mox-tft)因其具有漏电流小、场效应迁移率高、区域均匀性好等优点，成为显示面板中阵列基板的重要发展技术之一。现有利用金属氧化物半导体材料制备的阵列基板一般采用底栅结构tft，如蚀刻阻挡型(esl)、背沟道型(bce)等，或者采用顶栅结构tft，如自对准型顶栅(self-top gate)等，不同类型的tft应用于阵列基板中具备各自本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板，其特征在于：所述氧化物阵列基板包括：玻璃基板，

2.根据权利要求1所述的一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板，其特征在于：所述第一半导体单元两端的非沟道区域进行离子掺杂处理，使得该区域导体化，形成导体层。

3.根据权利要求1所述的一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板，其特征在于：当所述第二漏极的一端与所述第二透明导电层相搭接时，所述第四通孔靠近所述金属单元一设置，且所述金属单元一还通过所述第四通孔与第一透明导电层相连，此时第一透明导电层为公共电极，第二透明导电层为像素电极。

4.一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板的制...

【技术特征摘要】

1.一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板，其特征在于：所述氧化物阵列基板包括：玻璃基板，

2.根据权利要求1所述的一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板，其特征在于：所述第一半导体单元两端的非沟道区域进行离子掺杂处理，使得该区域导体化，形成导体层。

3.根据权利要求1所述的一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板，其特征在于：当所述第二漏极的一端与所述第二透明导电层相搭接时，所述第四通孔靠近所述金属单元一设置，且所述金属单元一还通过所述第四通孔与第一透明导电层相连，此时第一透明导电层为公共电极，第二透明导电层为像素电极。

4.一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板的制备方法，其特征在于：所述方法制备的阵列基板为权利要求1或2所述的一种低寄生电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宇怀，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：