一种制造技术

一种

【技术实现步骤摘要】
一种Top com显示面板的制造方法


[0001]本专利技术属于显示面板的
，具体是指一种
Top com
显示面板的制造方法
。
一种
Top com
显示面板的制造方法

技术介绍

[0002]现有已开发并应用于显示面板的阵列基板制造工艺，通常由多层金属层，无机非金属层以及透明电极层组合而成，不同膜层的堆叠顺序变化以及讯号走线设计多样化，会衍生出多种不同架构设计的驱动显示面板
。
例如需要
10
道
Mask
制程
follow Mid
‑
com TIC
显示驱动面板，9道
Mask
制程
follow Top
‑
comTIC
显示驱动面板
(
如图1所示
)
以及8道
Mask
制程
followTop
‑
com TIC
显示驱动面板等等，不同的显示面板其对应的显示功能及产品规格会有所不同
。
[0003]显而易见的是，由于市场竞争越发激烈以及各面板制程工艺的稳定，高良率表现，如何在可满足客户规格要求情况下，提高产品竞争力及降低生产成本，提高产品效益显得尤为重要
。
并且现有的
IGZO
凭借其与
a
‑
Si
产线共通的制备工艺，材料本身的高电子迁移率，高开关比特点，在降本增效方面有着先天的优势，在当下显示面板严峻的竞争环境下，如何优化工艺及降低成本情况下，并保证高良率逐步成为产品开发的主要目标
。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种
Top com
显示面板的制造方法，使
9Mask
阵列基板减少至
8Mask
，降低成本
。
[0005]本专利技术是这样实现的：
[0006]一种
Top com
显示面板的制造方法，包括如下步骤：
[0007]第一步：采用
PVD
方式在玻璃基板上沉积并图案化形成第一金属层，为栅极金属层；
[0008]第二步：采用
CVD
方式沉积一层第一绝缘层，为栅极绝缘层；
[0009]第三步：对第一绝缘层进行开孔，为第一过孔，用于使第二金属层与部分栅极金属层相连接；
[0010]第四步：采用
PVD
方式沉积一层有源层，并进行图案化；
[0011]第五步：采用
PVD
方式沉积并图案化形成第二金属层，为源漏极金属层和触控金属层，此处触控金属层与源漏极金属层为同层金属；
[0012]第六步：采用
CVD
方式沉积一层第二绝缘层，为钝化绝缘层；
[0013]第七步：涂布一层有机光阻，作为平坦层并进行图案化，源极位置进行开孔，为第二过孔；
[0014]第八步：采用
PVD
方式沉积第一透明电极层，并进行图案化，此电极层作为像素电极；
[0015]第九步：采用
CVD
方式沉积一层第三绝缘层，该第三绝缘层在面内作为像素电容；
[0016]第十步：对第三绝缘层进行开孔，为第三过孔
、
第四过孔
、
第五过孔；
[0017]第三过孔
、
第四过孔：使公共电极桥接像素电极与源极金属层；
[0018]第五过孔：使公共电极与触控金属层相连接；
[0019]第十一步：采用
PVD
方式沉积第二透明电极层，并进行图案化，此电极层作为公共电极
。
[0020]进一步地，所述栅极金属层，选用
Mo/Al/Mo。
[0021]进一步地，所述栅极绝缘层，选用
SiOx。
[0022]进一步地，所述有源层，选
IGZO。
[0023]进一步地，所述第二金属层，选用
Mo/Al/Mo。
[0024]进一步地，所述钝化绝缘层，选用
SiOx。
[0025]进一步地，所述第一透明电极层和所述第二透明电极层，均选用
ITO。
[0026]进一步地，所述第三绝缘层，选用
SiOx。
[0027]本专利技术的优点在于：本专利技术在基于9道
Mask
制程
follow Top
‑
comTIC
显示驱动设计原理情况下，通过工艺优化，生产上减少一道
Mask
及对应的制程，以达到降低生产成本，提高生产效益的目的
。
附图说明
[0028]下面参照附图结合实施例对本专利技术作进一步的描述
。
[0029]图1是现有技术的阵列基板结构示意图
。
[0030]图2是本专利技术的第一步结构示意图
。
[0031]图3是本专利技术的第二步结构示意图
。
[0032]图4是本专利技术的第三步结构示意图
。
[0033]图5是本专利技术的第四步结构示意图
。
[0034]图6是本专利技术的第五步结构示意图
。
[0035]图7是本专利技术的第六步结构示意图
。
[0036]图8是本专利技术的第七步结构示意图
。
[0037]图9是本专利技术的第八步结构示意图
。
[0038]图
10
是本专利技术的第九步结构示意图
。
[0039]图
11
是本专利技术的第十步结构示意图
。
[0040]图
12
是本专利技术的第十一步结构示意图
。
[0041]附图标记：
[0042]1‑
玻璃基板，2‑
栅极金属层，3‑
第一绝缘层，
A1
‑
第一过孔，
A1
‑
第一过孔，
A2
‑
第二过孔，
A3
‑
第三过孔，
A4
‑
第四过孔，
A5
‑
第五过孔，4‑
有源层，5‑
源漏极金属层，6‑
第二绝缘层，7‑
有机光阻，8‑
第一透明电极层，，9‑
第三绝缘层，
10
‑
第二透明电极层，
11
‑‑
触控金属层
。
具体实施方式
[0043]如图2至图
12
所示，一种
Top com
显示面板的制造方法，具体包括如下步骤：
[0044]第一步：采用
PVD
方式在玻璃基板<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
Top com
显示面板的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：第一步：采用
PVD
方式在玻璃基板上沉积并图案化形成第一金属层，为栅极金属层；第二步：采用
CVD
方式沉积一层第一绝缘层，为栅极绝缘层；第三步：对第一绝缘层进行开孔，为第一过孔，用于使第二金属层与部分栅极金属层相连接；第四步：采用
PVD
方式沉积一层有源层，并进行图案化；第五步：采用
PVD
方式沉积并图案化形成第二金属层，为源漏极金属层和触控金属层，此处触控金属层与源漏极金属层为同层金属；第六步：采用
CVD
方式沉积一层第二绝缘层，为钝化绝缘层；第七步：涂布一层有机光阻，作为平坦层并进行图案化，源极位置进行开孔，为第二过孔；第八步：采用
PVD
方式沉积第一透明电极层，并进行图案化，此电极层作为像素电极；第九步：采用
CVD
方式沉积一层第三绝缘层，该第三绝缘层在面内作为像素电容；第十步：对第三绝缘层进行开孔，为第三过孔
、
第四过孔
、
第五过孔；第三过孔
、
第四过孔：使公共电极桥接像素电极与源极金属层；第五过孔：使公共电极与触控金属层相连接；第十一步：采用
...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，金剑辉，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：