一种氧化物阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种氧化物阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括玻璃基板、底栅、第一栅极绝缘层、半导体层、第二栅极绝缘层、顶栅和驱动电路走线、第一中间绝缘层、第一透明导电层、第三金属层、第二中间绝缘层及第二透明导电层；半导体层的第一半导体单元两端设有导体区，第二半导体单元与底栅相对应；顶栅位于第一半导体单元上方；第三金属层的第一源极、漏极与导体区相连，第二源极、漏极与第二半导体单元相连，金属单元一与驱动电路走线相连；顶栅对应膜层结构为驱动电路区TFT，底栅对应膜层结构为显示区TFT，驱动电路走线对应膜层结构为金属线区。本发明专利技术可改善现有结构中寄生电容较大的问题，具有成本低结构简单、薄膜利用率高的优势。

【技术实现步骤摘要】

【】本专利技术涉及液晶显示器，具体涉及一种氧化物阵列基板及其制备方法。

技术介绍

0、
技术介绍

1、在液晶显示领域中，ffs(fringe field switching)技术是一种通过tft基板上的顶层条状像素电极和底层面状com电极(bottom com)或者顶层com像素电极和底层面状像素电极(bop com)之间产生的边缘电场，使电极之间及电极正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上发生转动的液晶显示技术。采用ffs像素结构下的液晶面板具有高透过率、高可视角、高对比度、高色域等特点，是目前高端液晶显示面板的主要像素结构类型。

2、利用金属氧化物半导体材料制备的薄膜晶体管(mox-tft)因其具有漏电流小、场效应迁移率高、区域均匀性好等优点，成为显示面板中阵列基板的重要发展技术之一。现有利用金属氧化物半导体材料制备的阵列基板一般采用底栅结构tft，如蚀刻阻挡型(esl)、背沟道型(bce)等，或者采用顶栅结构tft，如自对准型顶栅(self-top gate)等，不同类型的tft应用于阵列基板中具备各自的结构优势。背沟本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氧化物阵列基板，其特征在于：所述氧化物阵列基板包括：玻璃基板，

2.根据权利要求1所述的一种氧化物阵列基板，其特征在于：所述第一半导体单元两端的非沟道区域进行离子掺杂处理，使得该区域导体化，形成导体区。

3.一种氧化物阵列基板的制备方法，其特征在于：所述方法制备的阵列基板为权利要求1或2所述的一种氧化物阵列基板，所述方法步骤如下：

4.根据权利要求3所述的一种氧化物阵列基板的制备方法，其特征在于：所述第一金属层、第二金属层以及第三金属层选用铝、钼、钛、镍、铜、银、钨中的一种，形成单层结构，或两种以上的上述材质组成的多层结构，或两种以上的上述材质...

【技术特征摘要】

1.一种氧化物阵列基板，其特征在于：所述氧化物阵列基板包括：玻璃基板，

2.根据权利要求1所述的一种氧化物阵列基板，其特征在于：所述第一半导体单元两端的非沟道区域进行离子掺杂处理，使得该区域导体化，形成导体区。

3.一种氧化物阵列基板的制备方法，其特征在于：所述方法制备的阵列基板为权利要求1或2所述的一种氧化物阵列基板，所述方法步骤如下：

4.根据权利要求3所述的一种氧化物阵列基板的制备方法，其特征在于：所述第一金属层、第二金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宇怀，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：