【技术实现步骤摘要】
包括薄膜晶体管的显示装置及其制造方法
[0001]本申请是申请号为
201910998681.8、
申请日为
2019
年
10
月
21
日
、
专利技术名称为“包括薄膜晶体管的显示装置及其制造方法”的专利技术专利申请的分案申请
。
[0002]本专利技术涉及一种包括薄膜晶体管的显示装置及其制造方法
。
技术介绍
[0003]可在玻璃基板或塑料基板上制造薄膜晶体管,由此薄膜晶体管广泛用作诸如液晶显示装置或有机发光装置之类的显示装置中的开关装置或驱动装置
。
[0004]根据用于有源层的材料,薄膜晶体管可大致分为具有非晶硅有源层的非晶硅薄膜晶体管
、
具有多晶硅有源层的多晶硅薄膜晶体管
、
和具有氧化物半导体有源层的氧化物半导体薄膜晶体管
。
[0005]非晶硅在短时间内沉积并且形成为有源层,由此非晶硅薄膜晶体管
(a
‑
Si TFT)
具有制造时间短和制造成本低的优点
。
同时,由于低迁移率和阈值电压的变化,其具有电流驱动效率较差的缺点
。
因而,非晶硅薄膜晶体管难以用于有源矩阵有机发光装置
(AMOLED)。
[0006]可通过沉积非晶硅并将沉积的非晶硅结晶来获得多晶硅薄膜晶体管
(poly
‑
Si TFT)。
多晶硅薄膜晶体管具有高 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种显示装置,包括:基板;在所述基板上的像素驱动器;和与所述像素驱动器连接的显示元件,其中所述像素驱动器包括:在所述基板上的导电层;在所述导电层上的缓冲层;在所述缓冲层上的半导体层;在所述半导体层上的栅极绝缘膜;在所述栅极绝缘膜上的栅极电极,所述栅极电极的至少一部分与所述半导体层的至少一部分交叠;和分别与所述半导体层连接的源极电极和漏极电极,其中所述半导体层设置在所述缓冲层和所述栅极绝缘膜之间,其中所述导电层设置在所述基板和所述缓冲层之间,其中所述栅极绝缘膜设置在所述半导体层和所述栅极电极之间,其中所述缓冲层包括与所述导电层交叠的平坦部和与所述导电层的外围交叠的台阶部,其中所述半导体层包括在所述缓冲层上的第一氧化物半导体层和在所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层,其中所述第一氧化物半导体层的宽度大于所述第二氧化物半导体层的宽度,并且所述第一氧化物半导体层的至少一部分设置在所述缓冲层的台阶部上
。2.
根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第二氧化物半导体层设置在所述缓冲层的平坦部上
。3.
根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一氧化物半导体层从所述缓冲层的平坦部延伸至所述缓冲层的台阶部
。4.
根据权利要求1所述的显示装置,其中在相同蚀刻状态下,所述第一氧化物半导体层的蚀刻速率低于所述第二氧化物半导体层的蚀刻速率
。5.
根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一氧化物半导体层的宽度比所述第二氧化物半导体层的宽度相对大了
0.2
μ
m
~5μ
m。6.
根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一氧化物半导体层的宽度大于所述导电层的宽度
。7.
根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一氧化物半导体层具有
5nm
~
25nm
的厚度
。8.
根据权利要求1所述的显示装置,其中所述导电层是遮光层
。9.
根据权利要求1所述的显示装置,其中所述导电层是配置成向所述像素驱动器提供信号的配线
。10.
根据权利要求1所述的显示装置,其中所述半导体层
、
所述栅极电极
、
所述源极电极和所述漏极电极构成驱动薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管用于控制施加至所述显示元件的驱动电压
。11.
根据权利要求3所述的显示装置,其中所述第一氧化物半导体层在远离所述第二氧化物半导体层的方向上从所述缓冲层的...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐廷锡,尹弼相,朴世熙,卢智龙,
申请(专利权)人:乐金显示有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。